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1.5V~30V 3A可调式开关电源电路原理图.do
c
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时间:2021.04.25
上传者:Argent
电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻
15V30V
3a
可调
开关
电源电路原理图
doc
RTL8822CS模块硬件参考设计指南
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下载:13
大小:393.71KB
时间:2021.04.21
上传者:纳拓科技
RTL8822CS是一款SDIO接口11a
c
双频蓝牙wifi二合一方案
RTL8822CS
RTL8822CS模块
RTL8822CS参考设计
PLC编程实例大全[几大品牌].pdf
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下载:13
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时间:2021.04.16
上传者:xiaosh728
PLC编程实例大全[几大品牌].pdf
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电机技术资料_BLDC 电机的十大潜力应用市场分析.pdf
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下载:13
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时间:2021.04.14
上传者:Argent
电机技术资料_BLDC电机的十大潜力应用市场分析.pdf
电机
技术资料
bldc
电机
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潜力
应用
市场分析
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AutoCAD电子电路设计与仿真软件学习
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时间:2021.03.24
上传者:stanleylo2001
AutoCAD电子电路设计与仿真软件学习
autocad
电子电路
设计与仿真
软件学习
Onsemi_6.6 kW电动汽车车载充电(OBC) SiC平台评估板用户手册
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下载:13
大小:10.72MB
时间:2021.03.23
上传者:samewell
Onsemi_6.6kW电动汽车车载充电(OBC)SiC平台评估板用户手册
uCOS-III内核实现与应用开发实战指南--野火
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下载:13
大小:6.41MB
时间:2021.03.23
上传者:samewell
uCOS-III内核实现与应用开发实战指南--野火
ucosiii
内核
实现
应用
开发
实战
指南
野火
新域NS32F103C8T6 技术规格书.pdf
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下载:13
大小:732.69KB
时间:2021.03.16
上传者:LGWU1995
新域NS32F103C8T6技术规格书.pdf
新域
NS32F103C8T6
技术
规格书
pdf
OMAPL138基于CCS的DSP程序开发入门教程
所需E币:0
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大小:6.49MB
时间:2020.12.29
上传者:stanleylo2001
OMAPL138基于CCS的DSP程序开发入门教程
OMAPL138
基于
ccs
DSP
程序开发
入门
教程
电磁兼容与印刷电路板:设计_组件和EMC_Components and EMC
所需E币:0
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大小:1.55MB
时间:2020.12.28
上传者:stanleylo2001
电磁兼容与印刷电路板:设计_组件和EMC_ComponentsandEMC
电磁
容与
印刷电路板
设计
组件
EMCComponents
and
emc
ADC 前端电路的五个设计步骤
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时间:2020.12.24
上传者:西风瘦马
ADC前端电路的五个设计步骤
ADC
前端电路
设计步骤
无电解电容的宽范围输入电压半桥LLC数控开关电源设计
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下载:13
大小:5.5MB
时间:2020.12.24
上传者:czd886
无电解电容的宽范围输入电压半桥LLC数控开关电源设计
无电解电容
宽范围
输入电压
半桥
llc
数控
开关电源设计
LLC谐振转换器原理及设计步骤详细说明
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大小:71.93KB
时间:2020.12.24
上传者:samewell
LLC谐振转换器原理及设计步骤详细说明
llc
谐振转换器
原理
设计
步骤
详细说明
LLC串联谐振式开关电源MOSFET故障诊断研究
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大小:3.02MB
时间:2020.12.17
上传者:czd886
LLC串联谐振式开关电源MOSFET故障诊断研究
llc
串联
谐振式开关电源
mosfet
故障诊断
研究
CMOS VLSI DESIGN第4版,Weste和Harris
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时间:2020.11.19
上传者:xgp416
CMOSVLSIDESIGN第4版,Weste和Harris资源大小:13.83MB[摘要]在这本书的第一版出版后的25年中,CMOS技术在现代电气系统设计中占据了卓越的地位。它使无线通讯、互联网和个
cmos
vlsi
Design
4版
Weste
harris
交织型采样ADC的基本原理
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大小:1000.74KB
时间:2020.09.29
上传者:LGWU1995
交织型采样ADC的基本原理
交织型
采样
ADC
基本原理
三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
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大小:1.08MB
时间:2020.09.22
上传者:LGWU1995
三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiCMOSFETs
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