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【NTE4153NT1G-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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NTE4153NT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：1A-导通电阻：200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：0.6Vth(V)-

NTE4153NT1GVB 沟道 SC753 封装 mos datasheet
【NTS4101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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型号：NTS4101PT1G丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压

NTS4101PT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：C3028LD丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A/-6A-RDS(ON)：15mΩ/42mΩ@10V，19mΩ/50mΩ@4.

C3028LDVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDC6420C-NL-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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型号：FDC6420C-NL丝印：VB5222品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±20V-最大电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,2

FDC6420CNLVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V

Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
【TPC6111-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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型号：TPC6111丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V

TPC6111VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【CJ8810-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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CJ8810详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：8Vgs(±V)-阈值电压：0.45~1Vth(V)-封装类型：

CJ8810VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDS8858CZ-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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型号：FDS8858CZ-NL丝印：VBA5311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：10A/-8A-RDS(ON)：11mΩ/21mΩ@10V，13mΩ/2

FDS8858CZNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【TPC8123-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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TPC8123详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类

TPC8123VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
EMMC协议

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emmc
Cadence Allegro实战攻略与高速PCB设计 -460页

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CW32 步进电机例程 Zip
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