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C#+WPF模块化开发反应釜控制系统

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时间：2024.01.08

上传者：学习菜鸟小弟弟

1、什么是wpfWPF是微软新一代图形系统，运行在.NETFramework3.0及以上版本下，为用户界面、2D/3D图形、文档和媒体提供了统一的描述和操作方法。基于DirectX9/10技术的WPF

CWPF 模块化开发反应控制系统
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S

FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【MT2300ACTR-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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MT2300ACTR是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：20V-最大漏极电流：6A-导通时的电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-栅极电压（Vgs）范围：±8

MT2300ACTR VBsemi sot23 mos datasheet
【SI3442CDV-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI3442CDV(VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。应用简介：SI344

SI3442CDV VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet

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