原理图资料下载_第75页-面包板社区

DAYU_底板原理图

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DAYU_底板原理图

DAYU 底板原理图
电解质倾角传感器原理

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时间：2022.03.30

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电解质倾角传感器原理

电解质倾角传感器原理
单片机设计电路之超声波发射与接收电路原理图及PCB图

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单片机设计电路之超声波发射与接收电路原理图及PCB图

单片机设计电路超声波发射接收电路原理图 pcb
变频器实用电路图集

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时间：2022.03.28

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变频器实用电路图集与原理图

变频器实用电路图集
F240 DSK Technical Reference.pdf

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F240DSKTechnicalReference.pdf

F240 dsk technical Referencepdf
USR-TCP232-S2_basic

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USR-TCP232-S2_basic

USRTCP232S2basic
CS5801用于HDMI转DP转换器芯片参考电路图

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时间：2022.02.24

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CS5801设计电路图，HDMItoDP芯片设计参考电路，HDMI转DP转接器方案芯片开发。CS5801有一个HDMI2.0输入，带宽可高达18Gbps。它支持4k@60Hz.对于DP1.4输出，由4

CS5801电路图 HDMI转DP芯片设计电路 CS5801设计电路
CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路

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时间：2022.02.24

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CS5261替代RTD2171U设计电路，CS5261参考电路图，Type-C转HDMI方案芯片设计资料，CS5261完全替代AG9310电路图

CS5261 替代RTD2171U CS5261设计参考
NS32F103C8T6可替代STM32F103C8T6 MCU简介（内附规格书）

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时间：2022.02.11

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NS32F103X8和NS32F103XB标准型MCU系列使用高性能的ARMCortex-M332 位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器（高达128K字节的闪存和20K字节

NS32F103C8T6 替代 stm32f103c8t6 mcu 简介内附规格书
飞思卡尔K60原理图

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时间：2022.01.27

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飞思卡尔K60原理图

飞思卡尔 k60 原理图
传感器原理图综合应用

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传感器原理图综合应用

传感器原理图应用
LQ-K60P144-SYSVB核心板原理图

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时间：2022.01.24

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LQ-K60P144-SYSVB核心板原理图

LQK60P144SYSVB 核心板原理图
碳化硅MOS应用充电桩

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时间：2022.02.15

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碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

650V 15143 DC-AC修正波逆变器 133747 移相全桥 dab
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
碳化硅MOS应用特种电源

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 特种电源
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。