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【AP2306N-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AP2306N参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：AP2306N是一款适用于中电流、低电压

AP2306N VBsemi sot23 mos datasheet
【CES2312-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

CES2312(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：CE

CES2312 VBsemi sot23 mos datasheet
单管正激多路输出300W电源资料（power PCB文档）

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时间：2021.07.27

上传者：luck_gfb

单管正激多路输出300W电源资料，带PFC，辅助电源，输出保护，工厂批量生产资料。
【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NDS331N-NL(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：NDS331N

NDS331NNL VBsemi sot23 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet
【NTD20P06LT4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTD20P06LT4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范

NTD20P06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF840APBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDV303N-NL-VB-丝印：VB1240-品牌：VBsemi-参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-静态电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：

IRF840APBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NTD2955T4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：NTD2955T4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范围：

NTD2955T4G VBsemi TO252 mos datasheet
主板维修经验

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

维修RESETCLK的故障當CLK信號有問題,可能會使得RESET信號異常,相對的;如果RESET信號有問題,可能會使得輸出端的CLK信號異常.RESET信號的輸入控制來源計有:1.POWERGOOD
【ZXMN6A25GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMN6A25GTA-VB丝印：VBJ1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：7A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,27

ZXMN6A25GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【AP9575GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AP9575GM(VBA2658)参数说明：P沟道，-60V，-6A，导通电阻50mΩ@10V，61mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：SOP8。应用简介：AP957

AP9575GM VBsemi SOP8 mos datasheet
GSM_空闲模式

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

优化接入通过小区选择和小区重选算法，选择最强信号的小区驻留，使良好通信的机率最大良好的参数设置，使移动台在空闲模式下和在连接模式下会选择相同的小区降低寻呼负荷选择不同的寻呼策略，避免不必要的寻呼降低移
【PSMN025-100D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：PSMN025-100D 丝印：VBE1102N 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：45A-导通电

PSMN025100DVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：FDD5614P丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压

FDD5614P VBsemi TO252 mos datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CS5269带PD100W充电TYPEC转HDMI高清4K60HZ扩展投屏方案设计电路图

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时间：2022.11.03

上传者：QQ1540182856

CS5269集成了DP1.4HDMI2.0的输出端和VGA输出接口，单颗芯片设计带PD100W充电TYPEC转HDMI高清4K60HZ扩展投屏方案

CS5269 TYPEC转HDMI TYPEC扩展方案 CS5269电路图
【SUD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:SUD50P06-15L-GE3丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-60V -额定电流(ID):-50A -开通

SUD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet