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【IRF8788TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：IRF8788TRPBF丝印：VBA1302品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：20A-导通电阻：4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V-门源电

IRF8788TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
【AOD425A-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AOD425A丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：2

AOD425AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

Si2342DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

SI2302DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RU205B(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：RU2

RU205B VBsemi sot23 mos datasheet
MSP430F5-10-MPY乘法器

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

MSP430F5-10-MPY乘法器
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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50P04(VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。应用简介：50P04适用于高功

50P04 VBsemi TO252 mos datasheet
汉邦DVR报警连接方法

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

本主机支持常开和常闭两种报警输入，为方便用户，硬件采用同一种接法，用软件来调节常开，常闭，具体应用如下：1.报警硬件接法2.报警输入常开，常闭设置3.报警输出接法
【AP2306N-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AP2306N参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：AP2306N是一款适用于中电流、低电压

AP2306N VBsemi sot23 mos datasheet
【CES2312-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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CES2312(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：CE

CES2312 VBsemi sot23 mos datasheet
单管正激多路输出300W电源资料（power PCB文档）

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时间：2021.07.27

上传者：luck_gfb

单管正激多路输出300W电源资料，带PFC，辅助电源，输出保护，工厂批量生产资料。
【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NDS331N-NL(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：NDS331N

NDS331NNL VBsemi sot23 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet

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