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【ZVN2120GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:ZVN2120GTA丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V-额定电流(ID):1A-开通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@

ZVN2120GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【APM2701AC-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2701AC-VB 丝印：VB5222 品牌：VBsemi 参数说明：-沟道类型：N+P沟道-最大电压：±20V-最大电流：7A正向，4.5A反向-开通电阻：

APM2701ACVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【FDG6332C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDG6332C(VBK5213N)参数说明：N+P沟道，±20V，2.5/-1.5A，导通电阻130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围

FDG6332C NP VBsemi SC706 mos datasheet
【15N10 TO251-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：15N10TO251丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-

15N10 TO251VB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
OPA549.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

OPA549pdf
【SFT1342-TL-E-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

SFT1342-TL-E详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V

SFT1342TLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
监控系统安装流程(视频监控安装教程)

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时间：2019.06.13

上传者：东亚安防

A、线路安装与选材1、电源线：要选“阻燃”电缆，皮结实，在省成本前提下，尽量用粗点的，以减少电源的衰减。2、视频线：SYV75-3线传输在300米内，75-5线传输500米内，75-7的线可传输800
【AM2394NE-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AM2394NE(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：AM2394

AM2394NE VBsemi sot23 mos datasheet
TD-SCDMA终端设备规范与测试规范-果敢008

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

TD-SCDMA终端设备规范与测试规范-果敢008
【ME35N06G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：ME35N06G丝印：VBE1638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20

ME35N06GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝TLP176AM产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

上传者：东芝铠侠代理

隔离电压：TLP176AM的隔离电压高达3750Vrms，确保电路免受电压尖峰和噪声的影响，非常适合高压应用场景。输出电流：TLP176AM能够处理高达30µA的输出电流，尽管数值不大，但足以驱动低功

toshiba 东芝 TLP176AM 产品规格书 datasheet
H桥工作原理.doc

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

工作原理 doc
【IRLML0100TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLML0100TRPBF(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：

IRLML0100TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【AM4902N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AM4902N-T1-PF详细参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.5Vth(V)

AM4902NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK1273-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：2SK1273丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：5A-RDS(ON)：76mΩ@10V，88mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

2SK1273VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
TI_TLV271.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

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【AP9971GH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AP9971GH丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-RDS(ON)：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

AP9971GHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet