原理图-消耗E币(免费)资料下载

IPv4IPv6安全网关原理及应用分析

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时间：2019.06.03

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IPv6取代IPv4已经成为公认的事实，然而这将是一个长期的、渐进的过程。IPv6的部署大致要经历一个过程。初始阶段，在IPv4的网络海洋中，会出现若干局部零散的IPv6孤岛，为了保持通信，这些孤岛通
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【FQD6N40CTM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD6N40CTM-VB丝印：VBE165R07S品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：650V-最大持续电流：7A-开通电阻（RDS(ON)）：700mΩ@10Vgs-阈值电

FQD6N40CTMVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
QC-zigbee Rev3.2核心板原理图.pdf

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时间：2021.09.26

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分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习

QCzigbee Rev32 核心板原理图 pdf
GSM_无线信道

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

该信道又称争抢信道。移动台首先通过该信道申请接入网络。由于同时可能有多个移动台会通过该信道申请接入网络，因此可能会发生碰撞。在该信道传递的信息有以下三个：1.接入原因（主叫、被叫、位置更新等）2.随机
【IRF4905PBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF4905PBF-VB丝印:VBM2625品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-50A-静态导通电阻(RDS(ON)):19mΩ@10V,26m

IRF4905PBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
CC2530核心板.pdf

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时间：2021.03.30

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现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。

cc2530 核心板 pdf
【AP2310GG-HF-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP2310GG-HF-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：5A-开通电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10Vgs、88mΩ@4.

AP2310GGHFVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【2SK2782-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK2782-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源极电

2SK2782VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【AP4407GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AP4407GM-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：1.P沟道2.最大承受电压：-30V3.最大工作电流：-11A4.开阻抗：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压

AP4407GMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极

AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【IRLML2502RP-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：IRLML2502RP丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-额定

IRLML2502RPVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【HM3400PR-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：HM3400PR丝印：VBI1322品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3

HM3400PRVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【MDD3754RH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MDD3754RH丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压

MDD3754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet