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电子元件基础教程

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

电阻，英文名resistance，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说，I=U/R，那么R=U/I，电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，有这样的定义：
【NTGS3136PT1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTGS3136PT1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

NTGS3136PT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【STD35NF06T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

STD35NF06T4详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装

STD35NF06T4 VBsemi TO252 mos datasheet
HLY070ML266-24A-群创.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

HLY070ML26624A 群创 pdf
【BSO072N03S-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:BSO072N03S-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RD

BSO072N03SVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
TB67H400AFNG有刷直流马达驱动产品规格书datasheet

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时间：2024.10.09

上传者：东芝铠侠代理

TB67H400AFNG是一款采用BiCD工艺的高效有刷直流马达驱动器，具有以下显著特点：高电压与大电流承载能力：支持高达50V的工作电压以及在单通道模式下8A的峰值电流（双通道模式下为4A），能够轻

TB67H400AFNG 直流马达驱动产品规格书 datasheet
【STS7PF30L-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS7PF30L-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-7A-静态开启电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V,29mΩ@4.

STS7PF30LVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
单片机原理图段选和位选端

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时间：2019.10.29

上传者：艾兴高

单片机原理图段选和位选端
【AP40N03GP-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AP40N03GP-VB-丝印：VBM1310-品牌：VBsemi-参数： -沟道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：80A -

AP40N03GPVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：25P03LG-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-26A-静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vg

25P03LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
Etherbus® 工业以太网 PoE 交换机

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

5个RJ4510/100端口o4个PoE(PSE)端口(IEEE802.3af)o1个uplink级联端口(RJ45或光纤)•即插即用，节约时间和金钱•与Slim系列外壳一致，DIN导轨安装•冗余电源
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF830A-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF830A丝印：VBM16R08品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：600V-额定电流：8A-RDS(ON)：780mΩ@10V，1070mΩ@4.5V-门源电压范围：±2

IRF830AVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
18b20.pdf

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时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【AP9575AGH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AP9575AGH-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏电流：-38A-静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,2

AP9575AGHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：30V-最大漏极电流：5.8A-导通时的电阻（RDS(ON)）：22mΩ@10V,28mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SiA400EDJT1GE3 VBsemi DFN62X2 mos datasheet
【BUK9240-100A-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：BUK9240-100A-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：40A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,31m

BUK9240100AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet