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【AP4575GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AP4575GM-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi**详细参数说明:**-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-导通电阻(RDS(ON)

AP4575GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO3400A-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3400A-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.5A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

AO3400AVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
数控直流电流源资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

本设计由三个部分组成，键盘与显示，基于单片机的控制器，稳流电源。以89C52为主控单元，以数模转换器DAC0832输出参考电压，以该参考电压控制电压转换模块LM350K的输出电压大小，设计实用，精度高
【SUD50N04-8M8P-4GE3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-导通电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10

SUD50N048M8P4GE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
WLAN IDS技术介绍

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

WLANIDS简介802.11网络很容易受到各种网络威胁的影响，如未经授权的AP用户、Ad-hoc网络、拒绝服务型攻击等；Rogue设备对于企业网络安全来说更是一个很严重的威胁。WIDS（Wirele
【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06

N3PF06 VBsemi SOT223 mos datasheet
【BSP170P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSP170P(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT223。应用

BSP170P VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP85U03GH-HF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP85U03GH-HF-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-开态电阻(RDS(ON))：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs

AP85U03GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR2905TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLR2905TRPBF-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：45A-静态开启电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,28mΩ

IRLR2905TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MTB1D7N03E3-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MTB1D7N03E3丝印：VBM1302品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：180A-RDS(ON)：2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V-门源电压范围：2

MTB1D7N03E3VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【IRFI540GPBF-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFI540GPBF(VBMB1104N)参数说明：N沟道，100V，50A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2~4V，封装：TO220F。应用简介

IRFI540GPBF VBsemi to220f mos datasheet
【IPD036N04L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IPD036N04L-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V

IPD036N04LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：MDD1951RH-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-开通态电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：

MDD1951RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM2054NUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：APM2054NUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V

APM2054NUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.09.03

上传者：东芝铠侠代理

高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计，极大地降低了导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>），使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO

toshiba 东芝 TPH1500CNH 沟道 mosfet 产品规格书 datasheet
【DMP6180SK3-13-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP6180SK3-13-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V

DMP6180SK313VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet