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【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：MDD1951RH-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-开通态电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：

MDD1951RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM2054NUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2054NUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V

APM2054NUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
Toshiba东芝TPH1500CNH N沟道MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.09.03

上传者：东芝铠侠代理

高效率TPH1500CNH采用了先进的沟道结构设计，极大地降低了导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>），使得在高电流工作环境下仍然能够保持极低的功耗。相较于传统的MO

toshiba 东芝 TPH1500CNH 沟道 mosfet 产品规格书 datasheet
【DMP6180SK3-13-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP6180SK3-13-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V

DMP6180SK313VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STC5NF20V-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STC5NF20V-VB丝印：VBC6N2022品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻（RDS

STC5NF20VVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
联想A310 原理图2.pdf

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时间：2019.12.06

上传者：Argent

这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
数控恒压恒流电源设计解决方案附原理图

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时间：2021.03.05

上传者：西风瘦马

数控恒压恒流电源设计解决方案附原理图

数控恒压恒流电源设计解决方案原理图
【NCE0103M-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NCE0103M-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：3.1A-静态开启电阻（RDS(ON)）：126mΩ@10V,139mΩ

NCE0103MVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【2SJ598-Z-E1-AZ-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SJ598-Z-E1-AZ-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏电流：-38A-静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4

2SJ598ZE1AZVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
BGA元件的维修技术与操作技能

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

BGA元件的维修技术与操作技能
【CEU4311-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEU4311-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-开态电阻(RDS(ON))：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±

CEU4311VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FQPF85N06-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQPF85N06-VB丝印：VBMB1615品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，12

FQPF85N06VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【STD10PF06T4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD10PF06T4-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-最大连续电流：-38A-静态开启电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72m

STD10PF06T4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
主板知识

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

主板上的英文字母都代表什么1.L----电感.电感线圈2.C----电容.3.BC---贴片电容4.R----电阻5.9231芯片-----脉宽6.74门电路-----它在主板南桥旁边7.PQ----
IRLR2905ZTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi品牌推出了一款高性能的MOS管，型号为IRLR2905ZTRPBF，丝印型号为VBE1615。这款MOS管采用N沟道设计，适用于广泛的电子应用领域。其主要特点包括耐压高达60V，最大工作电

IRLR2905ZTRPBF VBsemi mosfet datasheet
【NTGS3443T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTGS3443T1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-4.8A-开态电阻(RDS(ON))：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20V

NTGS3443T1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet