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【AP9561GH-HF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP9561GH-HF-VB 丝印：VBE2412 品牌：VBsemi 详细参数说明：-P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-

AP9561GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4611丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±60V-额定电流：6.5A/-5A-RDS(ON)：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4

AO4611VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SPB80P06PG-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SPB80P06PG-VB丝印：VBL2625品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-80A-导通电阻（RDS(ON)）：21mΩ@10V,25m

SPB80P06PGVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
CS5213demoboard参考电路|CS5213设计资料|CS5213设计电路

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时间：2020.12.28

上传者：QQ1659747718

CS5213是一款用于HDMI转VGA带音频信号输出的芯片设计方案，也是一个HDMI（高清多媒体接口）到VGA桥接芯片。它将HDMI信号转换为标准VGA信号它可以在适配器、智能电缆等设备中设计。

CS5213demoboard 参考电路 CS5213 设计资料 CS5213 设计电路
悬挂运动控制系统资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

系统采用凌阳16位单片机SPCE061A作为控制中心，由直流步进电机、红外收发对管、4*4键盘及中文液晶显示屏构成的悬挂运动控制系统。该系统能自由控制悬挂物体完成自行设定运动、画圆运动、沿黑线运动等，
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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

OP27pdf
【2SK3065-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SK3065-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10V,88mΩ@4.5V-门

2SK3065VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【AO4447-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO4447-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@10V,15mΩ@4.

AO4447VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFU9024NPBF-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFU9024NPBF-VB丝印：VBFB2610N品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-25A-静态开启电阻(RDS(ON))：66mΩ@10V,80mΩ@

IRFU9024NPBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【RFD15P05-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：RFD15P05-VB丝印：VBFB2610N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-60V-额定电流（Id）：-25A-静态导通电阻（RDS(ON)）：66m

RFD15P05VB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【AO4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

AO4828详细参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.5Vth(V)-封装类型：S

AO4828 VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF640NS-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF640NS-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：200V-最大电流：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-阈值电压（

IRF640NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【AM2358N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM2358N-T1-PF-VB丝印：VB1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：85mΩ（在10V下），96mΩ（在4.5V下）-额定输入电压：2

AM2358NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
SUD50P06-15-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作

SUD50P0615GE3 VBsemi mosfet datasheet
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
100v OR-ing控制器，高边防止电流倒灌

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时间：2023.07.06

上传者：王萌

无锡明芯微电子推出工作电压100V耐压的理想二极管OR-ing控制器，代替高边防电流倒灌场景功能的肖特基或PMOS，为多电源OR-ing结构的电源产品提供低功耗，小型化的解决方案，可被广泛

100V oring 控制器高边防止电流倒灌
【IRF9Z24NS-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：IRF9Z24NS丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V)；TO2

IRF9Z24NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet