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【IRF9Z24NS-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF9Z24NS丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1~-3Vth(V)；TO2

IRF9Z24NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
AMR优化实战经验总结

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

沙特Mobily2G网络在开启AMR功能后，客户对我司的AMR的默认参数设置提出异议，认为其门限、迟滞以及语音速率的设置并不合理，不能达到AMR最好的效果。于是，我方安排在Jizan和Najran两个
TLC04ID.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TLC04IDpdf
A33-V2核心板引脚说明.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

A33V2 核心板引脚说明 pdf
DDR的设计资料

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

PC1600andPC2100DDRSDRAMUnbufferedDIMMDesignSpecificationRevision1.1June29,2001
RadarSensors_ARS404-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

上传者：雷达客

RadarSensors_ARS404-21_cn数据手册

RadarSensors ARS40421 数据手册
开发板原理图.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

开发板原理图 pdf
【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V

Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
【AP2307GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP2307GN-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-静态开启电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源

AP2307GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
PW2051 1.5A DC-DC 降压转换器芯片

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时间：2022.11.03

上传者：夸克微

代理商技术支持有原厂测试板郑S13076919501

PW2051 15A dcdc 降压转换器芯片
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO3460-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO3460-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：0.3A-导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V-门源电压

AO3460VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通

NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AO3421E-VB-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-类型：P沟道场效应管-最大漏极电压（Vds）：-30V-最大漏极电流（Ids）：-5.6A-电阻开关特性：RDS(O

AO3421EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源

15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝光耦TLP152产品规格书datasheet

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时间：2024.07.16

上传者：东芝铠侠代理

高噪声免疫力：TLP152具有±20kV/µs的高共模瞬变免疫力（CMTI），确保输入和输出引脚之间的卓越噪声免疫力。这使其非常适合存在大量电噪声的环境。推挽输出：具有推挽输出，能够同时吸收和提供电流

toshiba 东芝光耦 TLP152 产品规格书 datasheet

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