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【STD10NF10T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：STD10NF10T4丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：18A-导通电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-

STD10NF10T4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【IRF7343TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7343TRPBF(VBA5638)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±60V；最大电流：6.5A/-5A；导通电阻：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4.5V；门源电压范围：

IRF7343TRPBF NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO7800-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO7800-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：-类型：2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：2A-静态开启电阻(RDS(ON))：150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-

AO7800VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【AO6602-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO6602-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-N+P沟道-额定电压：±20V-最大电流：7A（正向）/4.5A（反向）-开态电阻(RDS(ON))：20mΩ@4.5V（正向）/7

AO6602VB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STS4DNF60L(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：STS4DNF6

STS4DNF60L VBsemi SOP8 mos datasheet
12V转3V,12V转1.8V DC-DC 电源 .PW2162

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时间：2022.11.03

上传者：夸克微

无锡平芯微PW2162 12V转3V,12V转1.8VDC-DC电源. 代理商技术支持有原厂测试板 13076919501

12v 3V12V 18V dcdc 电源 PW2162
CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案

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时间：2023.06.28

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CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案

CS5260 设计方案 AG9300 替代方案 CS5260TypeC vga 方案
功率放大器在Pb污染城市污泥电动性能研究中的应用

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时间：2021.08.30

上传者：aigtek01

功率放大器在Pb污染城市污泥电动性能研究中的应用

功率放大器 pb 污染城市污泥电动性能研究中
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

MTD6P10ET4 VBsemi TO252 mos datasheet
【NTE4153NT1G-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

NTE4153NT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：1A-导通电阻：200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：0.6Vth(V)-

NTE4153NT1GVB 沟道 SC753 封装 mos datasheet
AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型，适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数，包括最大承受电压为-30V，最大工作电流为-60A。在标准

AOD403 VBsemi mosfet datasheet
【2SK1485-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：2SK1485-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：3.1A-静态开启电阻(RDS(ON))：126mΩ@10V,139mΩ@4.5V

2SK1485VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
中通网通信试题大全[网络优化试题之英文选择题]

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时间：2019.06.03

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中通网通信试题大全[网络优化试题之英文选择题]
高校拥塞解决方案报告

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

统计系统指标发现贵阳高校区域晚21：00-24：00为话务高峰区，覆盖高校的主服小区都出现不同程度的拥塞，有些小区的TCH拥塞率（含切换）高达70%以上，该指标是由于目标小区无空闲信道，但BSC仍然不

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