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【NTE4153NT1G-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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NTE4153NT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：1A-导通电阻：200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：0.6Vth(V)-

NTE4153NT1GVB 沟道 SC753 封装 mos datasheet
AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型，适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数，包括最大承受电压为-30V，最大工作电流为-60A。在标准

AOD403 VBsemi mosfet datasheet
【2SK1485-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：2SK1485-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：3.1A-静态开启电阻(RDS(ON))：126mΩ@10V,139mΩ@4.5V

2SK1485VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
中通网通信试题大全[网络优化试题之英文选择题]

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时间：2019.06.03

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中通网通信试题大全[网络优化试题之英文选择题]
高校拥塞解决方案报告

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时间：2019.06.03

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统计系统指标发现贵阳高校区域晚21：00-24：00为话务高峰区，覆盖高校的主服小区都出现不同程度的拥塞，有些小区的TCH拥塞率（含切换）高达70%以上，该指标是由于目标小区无空闲信道，但BSC仍然不
【40N06 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：40N06TO252-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：45A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@

40N06 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STP3NK60ZFP-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：STP3NK60ZFP-VB丝印：VBMB165R04品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：650V-最大持续电流（Id）：4A-导通电阻（RDS(ON)）：2560mΩ@

STP3NK60ZFPVB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
ULN2003.pdf

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时间：2021.04.25

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电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

ULN2003PDF
【FDC6420C-NL-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：FDC6420C-NL丝印：VB5222品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±20V-最大电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,2

FDC6420CNLVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AO4724-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AO4724-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：12A-开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10Vgs、15mΩ@4.5Vgs

AO4724VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDC6327C-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：FDC6327C-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-额定电压：±20V-最大连续电流：7A/-4.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：20mΩ/70mΩ@4

FDC6327CVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NCE6602-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE6602-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-N+P沟道-额定电压：±20V-最大电流：7A（正向）/4.5A（反向）-开态电阻(RDS(ON))：20mΩ@4.5V（正向）/

NCE6602VB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【2SJ355-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SJ355-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.8A-导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V-门源电

2SJ355VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【AO6601-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO6601-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-额定电压：±20V-最大连续电流：7A/-4.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：20mΩ/70mΩ@4.5

AO6601VB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AO6604详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值

AO6604 NP VBsemi sot236 mos datasheet
【AO4406A-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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详细参数说明：-型号：AO4406A-VB-丝印：VBA1311-品牌：VBsemi-参数：N沟道，30V，12A，RDS(ON)为12mΩ（在10V时），15mΩ（在4.5V时），20Vgs的范围为

AO4406AVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数说明：-类型：N沟道MOSFET-工作电压：100V-额定电流：40A-开通电阻：30mΩ（10V）、31mΩ

AM30N1070DT1PFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet