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【FDN302P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDN302P-NL(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

FDN302PNL VBsemi sot23 mos datasheet
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21参考电路

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时间：2023.07.13

上传者：永嘉微电罗丹

★ 工作电压2.4-5.5V★ 内置32kHzRC振荡器★ 偏置电压（BIAS）可配置为1/3、1/4★ COM周期（DUTY）可配置为1/4、1/8★&nbs

抗干扰抗噪 lcd 液晶段码驱动 ICVK2C21 参考电路
【NTD3055L170T4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTD3055L170T4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：18A-静态开启电阻(RDS(ON))：73mΩ@10V,85mΩ@4.

NTD3055L170T4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3423(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO3423 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【SM4027PSU-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SM4027PSU-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-静态开启电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-

SM4027PSUVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BSS308PE-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSS308PE(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：BSS30

BSS308PE VBsemi sot23 mos datasheet
【SI3911DV-T1-GE3-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：SI3911DV-T1-GE3丝印：VB4290品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个P沟道MOSFET-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2

SI3911DVT1GE3VB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet
【WNM2020-3/TR-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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WNM2020-3/TR详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:20V-额定电流:6A-导通电阻:24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压:8Vgs(±V)-阈值电压:0.45~1Vth(V)

WNM20203TRVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDC6401N-VB】2个N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:FDC6401N-VB丝印:VB3222品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4.8A-静态导通电阻(RDS(ON)):22mΩ@4.5V-静态导通电阻(RDS

FDC6401NVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IPP084N06L3-G-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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详细参数说明：-型号：IPP084N06L3G-VB-丝印：VBM1606-品牌：VBsemi-参数：N沟道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、

IPP084N06L3GVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NTF2955PT1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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NTF2955PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-6.5A-导通电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth(

NTF2955PT1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO3407(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：AO3407适

AO3407 VBsemi sot23 mos datasheet
【2SK2415-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：2SK2415-Z-E1-AZ丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-RDS(ON)：73mΩ@10V，85mΩ@4.5V-门源电压范

2SK2415ZE1AZVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2314DS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SI2314DS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**

SI2314DST1E3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AP2306GN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：AP2306GN丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：20V-最大电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：8Vg

AP2306GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet