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高速通信系统+PCB+的电磁兼容性设计
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下载:39
大小:1.79MB
时间:2020.11.06
上传者:czd886
高速通信系统+PCB+的电磁兼容性设计
高速
通信系统
pcb
电磁兼容性设计
基于Math
c
ad的反激式开关电源设计
所需E币:0
下载:33
大小:1.05MB
时间:2020.12.22
上传者:czd886
基于Math
c
ad的反激式开关电源设计
基于
mathcad
反激式
开关电源设计
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术-1
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下载:29
大小:10.51MB
时间:2022.06.16
上传者:Eways-SIC
国产碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术1:车载电源OBC与最新发展2:双向OBC关键技术3:11kW全SiC双向OBC电路4:OBC与车载DC/DC集成二合一5:车载DC/DC转换电源电路比较6
Ansys+SIwave仿真平台在开关电源PCB板中的应用
所需E币:0
下载:29
大小:3.6MB
时间:2020.12.22
上传者:czd886
Ansys+SIwave仿真平台在开关电源PCB板中的应用
AnsysSIwave
仿真平台
开关电源
pcb
板中
应用
基于CM6901的LLC半桥谐振开关电源设计
所需E币:0
下载:26
大小:1.54MB
时间:2020.12.22
上传者:czd886
基于CM6901的LLC半桥谐振开关电源设计
基于
CM6901
llc
半桥谐振
开关电源设计
PID算法的C语言实现
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下载:20
大小:1.99MB
时间:2023.04.27
上传者:无量头颅无量血
PID算法的C语言实现
pid
算法
语言
实现
C语言在DSP嵌入式系统中的应用与开发
所需E币:0
下载:17
大小:1.33MB
时间:2020.12.28
上传者:czd886
C语言在DSP嵌入式系统中的应用与开发
语言
DSP
嵌入式系统
应用
开发
基于PC817与TL431配合电流型反激开关电源环路补偿设计
所需E币:0
下载:17
大小:2.73MB
时间:2020.12.22
上传者:czd886
基于PC817与TL431配合电流型反激开关电源环路补偿设计
基于
pc817
tl431
电流型
反激
开关电源
环路补偿
设计
三菱电机【论文】针对广泛应用领域的SiC功率模块
所需E币:0
下载:17
大小:2.03MB
时间:2020.09.22
上传者:LGWU1995
三菱电机【论文】针对广泛应用领域的SiC功率模块
三菱电机
论文
广泛
应用
领域
sic
功率模块
三菱电机【论文】集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
所需E币:0
下载:15
大小:1.23MB
时间:2020.09.22
上传者:LGWU1995
三菱电机【论文】集成SiCSBD的6.5kV全SiCMOSFET功率模块
三菱电机【论文】SiC MOSFET SPICE模型的对比研究
所需E币:0
下载:15
大小:727.89KB
时间:2020.09.22
上传者:LGWU1995
三菱电机【论文】SiCMOSFETSPICE模型的对比研究
三菱电机
论文
sic
mosfet
spice
模型
研究
双向DC-DC变换电路设计
所需E币:0
下载:14
大小:235.44KB
时间:2022.02.28
上传者:czd886
双向DC-DC变换电路设计
双向
dcdc
变换
电路设计
基于CADENCE的IBIS模型分析
所需E币:0
下载:14
大小:361.65KB
时间:2021.05.27
上传者:ルール
SI逃不掉的IBIS模型分析
cadence
ibis
无电解电容的宽范围输入电压半桥LLC数控开关电源设计
所需E币:0
下载:14
大小:5.5MB
时间:2020.12.24
上传者:czd886
无电解电容的宽范围输入电压半桥LLC数控开关电源设计
无电解电容
宽范围
输入电压
半桥
llc
数控
开关电源设计
LLC串联谐振式开关电源MOSFET故障诊断研究
所需E币:0
下载:13
大小:3.02MB
时间:2020.12.17
上传者:czd886
LLC串联谐振式开关电源MOSFET故障诊断研究
llc
串联
谐振式开关电源
mosfet
故障诊断
研究
基于LLC单级无桥PFC的无频闪LED驱动电源
所需E币:0
下载:13
大小:1.82MB
时间:2020.11.19
上传者:czd886
基于LLC单级无桥PFC的无频闪LED驱动电源
基于
llc
单级
无桥
PFC
频闪
led
驱动电源
三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiC MOSFETs
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下载:13
大小:1.08MB
时间:2020.09.22
上传者:LGWU1995
三菱电机【论文】优化元胞设计和采用再氧化工艺的高性能4H-SiCMOSFETs
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