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乐华3523-11A LCD主控板规格书
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时间:2020.03.12
上传者:微风DS
乐华3523-11ALCD主控板规格书……
电子元器件
【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:445.65KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:FR5305丝印:VBE2625品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-60V-最大电流:-50A-导通电阻:20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压:20
FR5305
VBsemi
TO252
mos
datasheet
High-Speed Differential Interfaces in Cyclone III Devices
所需E币:5
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大小:445.42KB
时间:2020.03.11
上传者:wsu_w_hotmail.com
High-SpeedDifferentialInterfacesinCycloneIIIDevices……
high-speed
differential
Interfaces
EMI分析、以及无Y电容的充电器EMI设计
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大小:445.39KB
时间:2020.03.13
上传者:微风DS
EMI分析、以及无Y电容的充电器EMI设计……
emi
y电容
充电器
氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用
所需E币:2
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大小:445.28KB
时间:2020.05.07
上传者:电子阔少
氮化镓和碳化硅在高频率电源开关中的应用,碳化硅和氮化镓的材质,在过去几年已经进行了实质性的改善。我们的经验是,本论文总结了我们对于目前发展现状的理解以及这些技术的领先之处。材料特性、设备结构和成本都是
氮化镓
碳化硅
高频率
频率
电源开关
应用
教你如何正确使用电子管
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时间:2020.03.12
上传者:238112554_qq
教你如何正确使用电子管……
电子元器件
如何正确使用电子管
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下载:0
大小:445.13KB
时间:2020.03.12
上传者:rdg1993
如何正确使用电子管……
电子元器件
了解ADC信号链中放大器噪声对总噪声的贡献
所需E币:5
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大小:444.69KB
时间:2020.03.12
上传者:quw431979_163.com
当模数转换器(ADC)的模拟输入被驱动至额定满量程输入电压时,ADC提供最佳性能。但在许多应用中,最大可用信号与额定电压不同,可能需要调整。用于满足这一要求的器件之一是可变增益放大器(VGA)。了解V
ADC
放大器
噪声
PCB手册
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下载:1
大小:444.41KB
时间:2020.01.06
上传者:quw431979_163.com
PCB手册……
pcb
手册
ACPL-K30T采用汽车级光伏驱动器和离散式光伏驱动器mosfet形成一个光隔离的固态继电器
所需E币:0
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大小:444.21KB
时间:2022.10.31
上传者:腾恩科技-彭工
本文介绍了ACPL-K30T采用汽车级光伏驱动器和离散式光伏驱动器mosfet形成一个光隔离的固态继电器
ACPLK30T
驱动器
光隔离
固态继电器
PCB技术1
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大小:444.15KB
时间:2020.01.06
上传者:16245458_qq.com
……
音乐芯片(9561)数据及应用
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下载:1
大小:444.07KB
时间:2020.03.13
上传者:rdg1993
音乐芯片(9561)数据及应用……
电子元器件
在SSB接收器设计中数字转换的优势
所需E币:3
下载:0
大小:443.88KB
时间:2020.03.13
上传者:rdg1993
在SSB接收器设计中数字转换的优势……
电子元器件
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:443.83KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AOD240(VBE1405)参数说明:N沟道,40V,85A,导通电阻4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.85V,封装:TO252。应用简介:AOD240适用于
AOD240
VBsemi
TO252
mos
datasheet
LPC4350/30/20/10数据手册
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大小:443.5KB
时间:2020.03.12
上传者:二不过三
LPC4350/30/20/10数据手册……
电子元器件
数字光电耦合器为汽车应用提供低功耗和高隔离
所需E币:0
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大小:443.34KB
时间:2022.10.21
上传者:腾恩科技-彭工
本文介绍了Avago的数字光电耦合器为汽车应用提供低功耗和高隔离
数字光电耦合器
汽车应用
提供
低功耗
高隔离
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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大小:443.18KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:FQU13N10L丝印:VBFB1101M品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道 -额定电压:100V -额定电流:15A -RDS(ON):115mΩ@10V
FQU13N10L
VBsemi
TO251
mos
datasheet
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