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    光刻工艺B光刻胶光刻胶的组成:由光敏化合物(PAC)、基体树脂和有机溶剂等正性光刻胶混合而成的胶状液体。都是碳基有机化合物。当受到特定波长光线的作用后特点:正胶中的长链聚合物曝光后分解而变得可溶。,光
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    光刻工艺A前面工艺的遗留问题第六章光刻工艺氧化、扩散、离子注入、外延、CVD等一系列工艺都是对整个硅园片进行处理,不涉及任何图形。在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工岳瑞峰工艺后:如何在一
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    工艺模拟……
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    外延生长……
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    工艺集成技术……
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    金属化工艺一、基本概念金属化第八章金属化工艺将晶片上制成的各种元器件用互连薄膜材料(通常为金属)的线条连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。--接触与互连为了将半导体器件与外部有效地联系起来,必须
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    时间:2020.03.11
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    微电子RTP微电子工艺技术课自学报告RTP工艺的应用及其前景微32班张煜磊刘洋成松源谌舟浪微电子工艺技术自学报告RTP工艺的应用及其前景快速热处理(RTP)作为现代先进半导体工艺中必不可少的一个环节,
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    RTP……
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    《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散,直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后,硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深,推
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    微电子IC制造……
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    刻蚀工艺……
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    时间:2020.03.11
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    第六章光刻工艺(上篇)问题?在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工工艺后:如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、不同结构和尺寸的元件?如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得所要求的电路