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NU509应用于CRD晶圆裸晶

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时间：2020.11.18

上传者：NU501

恒流二极管（电流调节二极管）、限流二极管比基于晶 CurrentRegulativeDiode/

NU509 应用 crd 晶圆裸晶
SP6669P兼容OB2365TAP-H做24W低功耗开关电源12V2A/24V1A

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时间：2021.03.24

上传者：sandtech168

SP6669P兼容OB2365TAP-H做24W低功耗开关电源12V2A/24V1A

SP6669P OB2365TAPH
2.3 印制电路板设计与制作.doc

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

23 印制电路板设计制作 doc
两/2键/两通道触摸触控芯片VKD232C-电池供电类产品用

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时间：2021.12.15

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LCD/LED液晶控制器及驱动器系列芯片简介如下：RAM映射LCD控制器和驱动器系列：VK1024B 2.4V～5.2V 6seg*4com &n

通道触摸触控芯片 VKD232C 电池供电产品
【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5

SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet
SP6648HF高性能低功耗开关电源控制芯片做PD18W快充

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时间：2021.06.18

上传者：ledsuperb

SP6648HF高性能低功耗开关电源控制芯片做PD18W快充

SP6648HF
【LED台灯照明方案】24V 3A无频闪线性调光内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7103

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7103是一款LED恒流控制芯片，工作电压范围从3.6V到28V，占空比从0-100%，目前主要应用于安防大功率红外LED驱动（多灯，阵列式二代，三代),转换效率高达90%。采用专业的
AT8031功率2X10W+20W/2X20W 单芯片2.1/2.0声道ClassD功放

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时间：2021.03.29

上传者：sandtech168

AT8031是一款单芯片2.1声道classD功放，内置三个通道的classD功放，具有90%以上的效率，无需使用外置散热片，外围电路极其简洁。

AT8031 ClassD功放
1/单键单感应通道触摸芯片VKD233DS DFN6,超小体积16S自动复位

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时间：2021.12.23

上传者：crh18824662436

VKD233DS/HS概述：VKD233DS/HSDFN6是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测
永嘉微电DFN6超小体积低功耗单键单通道感应触摸触控芯片VKD233DR资料

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时间：2021.12.22

上传者：crh18824662436

产品型号：VKD233DR产品品牌：永嘉微电/VINKA封装形式：DFN6产品年份：新年份工程服务，技术支持VDK233DR概述：VKD233DRDFN6是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电
AT8025功率2X8W+15W单芯片2.1 声道D类功放IC

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时间：2021.03.29

上传者：sandtech168

AT8025是一款单芯片2.1声道classD功放，内置三个通道的classD功放，具有90%以上的效率，无需使用外置散热片，外围电路极其简洁

AT8025 功放IC
高精度智能设备TSMI2520一体成型电感的使用

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时间：2025.05.08

上传者：时源芯微

本文介绍了深圳市时源芯微科技有限公司生产的高精度智能设备TSMI2520一体成型电感的使用。文章首先阐述了智能设备的发展及其对物联网技术的重要性，指出智能设备已广泛应用于消费电子、智能家居、可穿戴设备

高精度智能设备 TSMI2520 一体成型电感
【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SI4953DY-T1-E3丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-频道类型：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电

SI4953DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI9945AEYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF7314TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

IRF7314TRPBF详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(

IRF7314TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF7341TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7341TRPBF(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：IRF734

IRF7341TRPBF VBsemi 138088 mos datasheet
【IRF7342TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：IRF7342TRPBF 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个P沟道 -额定电压：-60V -额定电流：-5.3A&

IRF7342TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet