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【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V

IRLR7843TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
ANT6802功率60W输出同步高效升压芯片

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时间：2021.04.12

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ANT6802功率60W输出同步高效升压芯片

ANT6802 升压芯片
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTD5806NT4G参数：N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252；应用简介：NTD5806NT4G是一款N

NTD5806NT4G VBsemi TO252 mos datasheet
【IRF9530NPBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-100V-最大漏极电流：-18A-导通时的电阻（RDS(ON)）：167mΩ@10V,178mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs

IRF9530NPBF VBsemi to220 mos datasheet
FS312支持USBType-C端口PD快充协议智能触发芯片，FS312多种快充协议诱骗器

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时间：2021.12.22

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FS312支持USBType-C端口PD快充协议智能触发芯片，FS312多种快充协议诱骗器

FS312
RX27-1功率水泥瓷壳线绕电阻器1

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时间：2023.03.10

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RX27-1功率水泥瓷壳线绕电阻器简介

RX271 功率水泥瓷壳线绕电阻器
ANT8816功率8W超低EMI超低噪声，防破音单声道AB/D类双模音频功放

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时间：2021.07.15

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ANT8816功率8W超低EMI超低噪声，防破音单声道AB/D类双模音频功放

ANT8816
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适

AOI444 VBsemi TO251 mos datasheet
GaN 电源方案

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时间：2021.08.16

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130W氮化镓PD电源，南京芯干线方案与国内L公司方案对比。

gan 电源方案、南京芯干线
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet
【IRFL9014TRPBF-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRFL9014TRPBF(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT

IRFL9014TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06

N3PF06 VBsemi SOT223 mos datasheet
【BSP170P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSP170P(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT223。应用

BSP170P VBsemi SOT223 mos datasheet
【IRFI540GPBF-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRFI540GPBF(VBMB1104N)参数说明：N沟道，100V，50A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2~4V，封装：TO220F。应用简介

IRFI540GPBF VBsemi to220f mos datasheet
ANT8811功率3.5W超低 EMI噪声防破音单声道AB/D类双模音频功放

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时间：2021.04.06

上传者：sandtech168

ANT8811功率3.5W超低EMI噪声防破音单声道AB/D类双模音频功放

ANT8811 音频功放
ANT8116功率8.5WTHD=1%防破音单声道 AB/D类双模音频功放

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时间：2021.03.31

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ANT8116是一款超低EMI，高信噪比，防破音，单通道ClassAB/D双模音频功放。在7V电源条件下，ClassD工作模式，驱动2Ω负载可以输出8.5W功率，THD≤1%。

ANT8116 音频功放

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