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【SI2319CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2319CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2319CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：2SJ668丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：2

2SJ668 VBsemi TO252 mos datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.27

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SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【NTR4502PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTR4502PT1G(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：NT

NTR4502PT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【ST2341S23RG-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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ST2341S23RG(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ST

ST2341S23RG VBsemi sot23 mos datasheet
【ME2303-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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ME2303(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ME2303是

ME2303 VBsemi sot23 mos datasheet
【DMG1012T-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMG1012T(VBTA1220N)参数说明：N沟道，20V，1A，导通电阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压0.6V，封装：SC75-3。应用简介：DMG10

DMG1012T VBsemi SC753 mos datasheet
【FR3505-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FR3505(VBE1615)参数说明：N沟道，60V，60A，导通电阻9mΩ@10V，11mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.87V，封装：TO252。应用简介：FR3505是一

FR3505 VBsemi TO252 mos datasheet
电压反馈型运算放大器的增益和带宽

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时间：2022.11.02

上传者：腾恩科技-彭工

本文考察标定运算放大器的增益和带宽的常用方法。需要指出的是，适用于电压反馈(VFB)型运算放大器。

运算放大器增益带宽电压
【SI2324DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：SI2324DS-T1-GE3丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5

SI2324DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【RU20P4C-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RU20P4C(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：RU20P4

RU20P4C VBsemi sot23 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【HM3401PR-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：HM3401PR丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.8A-RDS(ON)：50mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围：±2

HM3401PR VBsemi SOT893 mos datasheet
2021年（第九届）中国半导体设备年会

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时间：2021.05.27

上传者：微电子制造

半导体装备制造业是为我国集成电路和半导体器件行业提供工艺装备的战略性产业，是提升我国半导体产业制造能力的高端装备制造产业，也是国家支持的重大技术装备产业。为进一步推动我国半导体装备产业的发展，我协会定

半导体设备
【SI2305ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。

SI2305ADST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

SI2305CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet