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【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【KD2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：KD2301丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.81Vth(V)；SOT23该产

KD2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO4805-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO4805(VBA4317)参数说明：2个P沟道，-30V，-8.5A，导通电阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-1.8V，封装：SOP8。应用简介：AO4

AO4805 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AP2301GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：AP2301GN丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：±12V

AP2301GN VBsemi sot23 mos datasheet
【FDN340P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

FDN340P-NL详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)

FDN340PNL VBsemi sot23 mos datasheet
【IRFR9024NTRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFR9024NTRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应

IRFR9024NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【AO3419-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO3419 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-20V -额定电流：-4A -RDS(O

AO3419 VBsemi sot23 mos datasheet
【FDG1024NZ-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDG1024NZ(VBK3215N)参数说明：2个N沟道，20V，2A，导通电阻150mΩ@4.5V，170mΩ@2.5V，门源电压范围8Vgs(±V)，阈值电压0.8V，封装：SC70-6。应用简

FDG1024NZ VBsemi SC706 mos datasheet
【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是

NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

P9006EDG(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：P9006E

P9006EDG VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4

AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2

NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet
【IRLMS6802TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLMS6802TRPBF(VB8338)参数说明：P沟道，-30V，-4.8A，导通电阻49mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。应用简

IRLMS6802TRPBF VBsemi sot236 mos datasheet
ANT8109功率5W防破音单声道 AB/D类双模音频功放

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时间：2021.04.02

上传者：sandtech168

ANT8109是一款超低EMI，高信噪比，防破音，5W单通道ClassAB/D双模音频功放。在5V电源条件下，驱动2Ω负载可以输出5W功率。

ANT8109 音频功放
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8

APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSN20-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：BSN20丝印：VB162K品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：2

BSN20 VBsemi sot23 mos datasheet