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【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:278.6KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明:N沟道,60V,45A,导通电阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.8V,封装:TO252。应用简介:NT
NTD5867NLT4G
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:278.51KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
RJP020N06T100(VBI1695)参数说明:N沟道,60V,5A,导通电阻76mΩ@10V,88mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT89-3。应用简介:RJP0
RJP020N06T100
VBsemi
SOT893
mos
datasheet
【IRFR1205TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:278.36KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRFR1205TRPBF(VBE1638)参数说明:极性:N沟道;额定电压:60V;最大电流:45A;导通电阻:24mΩ@10V,28mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:1.8
IRFR1205TRPBF
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【IPD640N06LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:277.85KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IPD640N06LG(VBE1638)参数说明:N沟道,60V,45A,导通电阻24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1.8V,封装:TO252。应用简介:IPD
IPD640N06LG
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:276.25KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
名称:SI2308DS-T1-GE3 型号:VB1695 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:4A-RDS(ON):85mΩ@10V
SI2308DST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【DMP3099L-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:275.9KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:DMP3099L-7 丝印:VB2355 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:P沟道 -额定电压:-30V -额定电流:-5.6A
DMP3099L7
VBsemi
sot23
mos
datasheet
LTK5129功率10W耐压7V的F类单声道音频放大器兼容ANT8109
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下载:4
大小:275.04KB
时间:2021.05.21
上传者:sandtech168
LTK5129功率10W耐压7V的F类单声道音频放大器兼容ANT8109
LTK5129
ANT8109
RS-485窄体隔离收发器
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大小:274.88KB
时间:2022.10.31
上传者:腾恩科技-彭工
隔离可降低噪音,消除接地回路,并提高安全性。RS-485评估委员会使用超微型的RL3585-3E窄体隔离收发器提供了一个完整的隔离的RS-485节点。
RS485
窄体
隔离
收发器
【AP2303GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:274.32KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:AP2303GN丝印:VB2355品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.6A-RDS(ON):47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围:±20
AP2303GN
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【SI2318CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:274.1KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2318CDS-T1-GE3(VB1330)参数说明:极性:N沟道;额定电压:30V;最大电流:6.5A;导通电阻:30mΩ@10V,33mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:
SI2318CDST1GE3
VBsemi
sot23
mos
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【NTR4171PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:272.41KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:NTR4171PT1G 丝印:VB2355 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:P沟道 -额定电压:-30V -额定电流:-5.6A 
NTR4171PT1G
VBsemi
sot23
mos
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【AO3401A-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:271.99KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
AO3401A详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-5.6A-导通电阻:47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1Vth(V)-封装类型
ao3401a
VBsemi
sot23
mos
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【BSH103-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSH103(VB1330)参数说明:N沟道,30V,6.5A,导通电阻30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围1.2~2.2V,封装:SOT23。应用简介:
BSH103
VBsemi
sot23
mos
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【FDS8926A-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:270.09KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
FDS8926A-NL(VBA3328)参数说明:2个N沟道,30V,6.8/6.0A,导通电阻22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.73V,封装:SOP8。应用简介:
FDS8926ANL
VBsemi 138088
mos
datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:268.42KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
名称:APM2301CAC-TRL 型号:VB2290 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.
APM2301CACTRL
VBsemi
sot23
mos
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【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:268.33KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:XP152A12C0MR丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压范围:
XP152A12C0MR
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:268.23KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:参数说明:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57m
APM2317ACTRL
VBsemi
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mos
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