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CS8121四节干电池/两节锂电池串接供电的4.0W单声道D类音频功放IC

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时间：2021.03.10

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CS8121是一款4欧姆4瓦的ClassD音频功放集成电路。采用特殊的高压CMOS工艺，具有极宽的工作电压范围（2.4V-6.5V），极限值为7V。

CS8121 音频功放IC
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AO6604详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值

AO6604 NP VBsemi sot236 mos datasheet
J-STD-020C-CN-中文版

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时间：2022.07.28

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J-STD-020C-CN-中文版

J-STD-020C
【FDG6332C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDG6332C(VBK5213N)参数说明：N+P沟道，±20V，2.5/-1.5A，导通电阻130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围

FDG6332C NP VBsemi SC706 mos datasheet
ANT8110功率3W-ClassD全差分输入单声道音频功放

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时间：2021.03.26

上传者：sandtech168

ANT8110是一款超低EMI，高信噪比，3W单通道ClassD音频功放。在5V电源条件下，驱动4Ω负载可以输出3W功率

ANT8110 音频功放
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时间：2021.09.26

上传者：Argent

分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习

BGAfootprintspdf
【IRLML0100TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLML0100TRPBF(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：

IRLML0100TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【BSH114-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSH114(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：BSH114是一

BSH114 VBsemi sot23 mos datasheet
汽车级光耦合器的可靠LED

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时间：2022.11.02

上传者：腾恩科技-彭工

油价的快速上涨推动了燃料高效混合动力汽车（HEVs）的增长，成为汽车行业的中心舞台。在混合动力汽车中使用的高压电池需要绝缘和隔离。在目前的混合动力车设计中，我们选择了光耦合器。

汽车级光耦合器 led
3D打印

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时间：2022.03.28

上传者：广州铁金刚

由于可用材料的多样性，聚合物3D打印可用于创建航空航天轻型复杂结构、建筑结构模型、艺术复制品以及生物组织和器官。然而，由于3D打印生产的单一成分聚合物缺乏强度和必要的功能，大多数产品仅能作为概念样品而

3d 打印
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
集成电路的封装种类与技术资料

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时间：2020.12.22

上传者：samewell

集成电路的封装种类与技术资料

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【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

Si2342DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

SI2302DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet

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