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DWD009N03兼容替代RU3030M2参数30V52A单N沟道DFN3X3-8场效应MOS管

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时间：2021.03.17

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DWD009N03兼容替代RU3030M2参数30V52A单N沟道DFN3X3-8场效应MOS管

DWD009N03 RU3030M2
【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
VBZA9945微碧半导体（VBsemi）N沟道SOP8封装MOSFET

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时间：2023.08.16

上传者：VBsemi

VBZA9945是微碧半导体（VBsemi）一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号

VBZA9945 微碧 VBsemi n沟道 SOP8 mosfet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
DWD004N06兼容替代AOD2606和IRFR7540和IPD053N06N

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时间：2021.03.17

上传者：sandtech168

DWD004N06兼容替代AOD2606/IRFR7540/IPD053N06N/NCEP60T12AK，65V耐压，电流105A

DWD004N06 兼容替代 AOD2606 IRFR7540 IPD053N06N
【线束测试仪方案分享】航空机箱布线测试

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时间：2021.08.19

上传者：aigtek01

线束测试仪需要配置计算机、打印机和系统测试软件,构建成测试系统,其工作原理如图所示。测试仪由一台主机和多个从机组成,每一个从机提供256测试点,扩充从机达到规模测试。主机通过CAN接口连接到从机的CA

线束测试仪方案航空机箱布线测试
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
医疗器械专用集成化高性能TSIF集成滤波器

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时间：2025.05.08

上传者：时源芯微

本文主要介绍了医疗器械专用集成化高性能TSIF集成滤波器。随着医疗卫生服务体系的发展，医疗器械不断更新迭代，预计至2027年，医疗设备投资规模将稳健增长25%以上。为适应智能化、5G远程医疗、微型化及

医疗器械专用集成化高性能 TSIF 集成滤波器
ANT8108功率5W防破音单声道D类音频功放

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时间：2021.03.31

上传者：sandtech168

ANT8108是一款超低EMI，高信噪比，防破音，5W单通道ClassD音频功放。在5V电源条件下，驱动2Ω负载可以输出5W功率

ANT8108 音频功放
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【IRF7343TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7343TRPBF(VBA5638)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±60V；最大电流：6.5A/-5A；导通电阻：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4.5V；门源电压范围：

IRF7343TRPBF NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STS4DNF60L(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：STS4DNF6

STS4DNF60L VBsemi SOP8 mos datasheet
CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案

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时间：2023.06.28

上传者：qq2755130042

CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案

CS5260 设计方案 AG9300 替代方案 CS5260TypeC vga 方案
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

MTD6P10ET4 VBsemi TO252 mos datasheet

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