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VDA_Maturity level assurance (MLA) _3rd_2022

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时间：2022.12.21

上传者：powerstd

VDA_Maturitylevelassurance(MLA)_3rd_2022_English

VDAMaturity level assurance MLA 3rd2022
【NDT3055L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

NDT3055L详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.53Vth(V)-封装类型：

NDT3055L VBsemi SOT223 mos datasheet
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
VINKA低功耗单键触摸触控检测芯片VKD233HH SOT23-6,超小体积封装

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时间：2021.12.23

上传者：crh18824662436

VKD233HH概述:VKD233HH是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电路,提供稳定的电压给触摸感应电路使用,稳定的触摸检测效果可以广泛的满足不同应用的需求,此触摸检测芯片是专为取代传统按
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
【IRFR4620TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

IRFR4620TRPBF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-额定电流：25A-导通电阻：54mΩ@10V,112mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：3.2Vth(V

IRFR4620TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【AP4563GH-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：AP4563GH丝印：VBE5415品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±40V-最大电流：50A/-50A-导通电阻：15mΩ@10V,18.75mΩ@4

AP4563GH NP VBsemi TO2525 mos datasheet
ANT2801电压5V USB 输入两节锂电池高效充电芯片

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时间：2021.04.12

上传者：sandtech168

ANT2801电压5VUSB输入两节锂电池高效充电芯片

ANT2801 充电芯片
【ME9435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：ME9435丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-6A-导通电阻：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20V

ME9435 VBsemi SOP8 mos datasheet
安规认证基本知识介绍

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时间：2023.07.31

上传者：Argent

安规认证基本知识介绍

安规认证基本知识介绍
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs

SI4435DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
5V 3A内置MOS高清安防摄像头监控IC LED降压恒流驱动芯片FP8013

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP8013是一种PWM控制降压转换器，大功率LED驱动提供一个简单，高效的解决方案，采用0.1V参考电压反馈控制，大限度地降低功耗，外部电阻根据驱动不同类型led所需的电流设置。该FP8013包括高
【IRF7416TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7416TRPBF(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V，封装：

IRF7416TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSP030参数：N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介：BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M

BSP030 VBsemi SOT223 mos datasheet
HX6048高性能线性充电管理控制芯片，充双节锂电池最大电流0.9A

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时间：2021.06.22

上传者：ledsuperb

HX6048高性能线性充电管理控制芯片，充双节锂电池最大电流0.9A

HX6048
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet