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CS5513R低功耗频率1M@1A电流DC-DC降压稳压器

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时间：2021.05.21

上传者：sandtech168

CS5513R低功耗频率1M@1A电流DC-DC降压稳压器

CS5513R 降压稳压器
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
ACPL-K30T采用汽车级光伏驱动器和离散式光伏驱动器mosfet形成一个光隔离的固态继电器

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时间：2022.10.31

上传者：腾恩科技-彭工

本文介绍了ACPL-K30T采用汽车级光伏驱动器和离散式光伏驱动器mosfet形成一个光隔离的固态继电器

ACPLK30T 驱动器光隔离固态继电器
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
数字光电耦合器为汽车应用提供低功耗和高隔离

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时间：2022.10.21

上传者：腾恩科技-彭工

本文介绍了Avago的数字光电耦合器为汽车应用提供低功耗和高隔离

数字光电耦合器汽车应用提供低功耗高隔离
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V

FQU13N10L VBsemi TO251 mos datasheet
【IRFR120NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFR120NTRPBF(VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。应用

IRFR120NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
DWT004N03兼容替代VS3698AE，PDFN3*3封装N沟道MOS管30V/78A

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时间：2021.03.18

上传者：sandtech168

DWT004N03兼容替代VS3698AE，PDFN3*3封装N沟道MOS管30V/78A

DWT004N03 VS3698AE
【FDMC8026S-VB】N沟道DFN8(3X3)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11mΩ@

FDMC8026S VBsemi DFN83X3 mos datasheet
CS803漏极开路输出，CS809/CS810用CMOS输出，低功耗微处理器电源监控复位电路

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时间：2021.07.27

上传者：ledsuperb

CS803漏极开路输出，CS809/CS810用CMOS输出，低功耗微处理器电源监控复位电路

CS803 CS809 CS810
AT8030功率2X15W 单芯片 2.0声道防破音 Class D功放

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时间：2021.03.30

上传者：sandtech168

AT8030是一款单芯片2.0声道classD音频功放，具有90%以上的效率，无需使用外置散热片，外围电路简洁。

AT8030 功放
RGBW四通道恒流线性驱动方案多色调光NU514

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时间：2020.07.24

上传者：NU501

NU514是一种用于LED照明的4路恒流接收器驱动器，用于led照明。NU514通过单个OE引脚的控制，NU514可以同时吸收4路恒流。输出电流可由外挂电流设定电阻设定，各个输出通道可以相互连接，以获

RGBW 四通道恒流线性驱动方案多色调光 NU514
【IRLL110TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLL110TRPBF(VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。应用简介：IR

IRLL110TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
同步升压芯片ANT6801/ANT6802的功能特性与参数对比

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时间：2021.08.23

上传者：ledsuperb

同步升压芯片ANT6801/ANT6802的功能特性与参数对比

ANT6801
【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V

IRLR7843TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet