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《扩散工艺》作业
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时间:2020.01.07
上传者:238112554_qq
《扩散工艺》作业第二章《扩散工艺》作业1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散,直到磷的固溶度极限。扩散时间为20分钟。预淀积后,硅片表面被密封并在1100℃下做推进扩散。为获得4.0μm的结深,推
扩散工艺
习题
微电子IC制造
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大小:1.86MB
时间:2020.03.11
上传者:2iot
微电子IC制造……
微电子
ic制造
圆片制造
一种四足机器人的实现策略(A Implementation of the
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时间:2020.03.16
上传者:wsu_w_hotmail.com
一种四足机器人的实现策略(AImplementationoftheFour-LegRobot)……
eda
辅助设计
刻蚀工艺
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时间:2020.03.11
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刻蚀工艺……
刻蚀工艺
品质因数
vlsi
第六章光刻工艺(上篇)
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大小:1.32MB
时间:2020.03.11
上传者:16245458_qq.com
第六章光刻工艺(上篇)问题?在同一集成电路制造流程中,经历了同样的一系列加工工艺后:如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、不同结构和尺寸的元件?如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得所要求的电路
光刻工艺
图形转移
掩膜版
一种基于单片机和微机的步进电机控制系统
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大小:220.18KB
时间:2020.03.16
上传者:二不过三
一种基于单片机和微机的步进电机控制系统……
eda
辅助设计
化学气相淀积
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时间:2020.03.11
上传者:238112554_qq
化学气相淀积xcl第五章化学气相淀积§1定义及反应方程式一、化学气相淀积定义:指使一种或数种物质的气体,以某种方式激活后,在衬底发生化学反应,并淀积出所需固体薄膜的生长技术。其英文原名为“Chemic
化学气相淀积
cvd
化学平衡
离子注入
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时间:2020.03.11
上传者:978461154_qq
离子注入xcl第四章离子注入工艺§1离子注入工艺设备及原理一.离子注入工艺设备结构2005-3-3012005-3-302图4.1离子注入机结构图4.2离子注入机原理图2005-3-3032005-3
离子注入
射程
核碰撞
扩散工艺原理
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时间:2020.03.11
上传者:2iot
扩散工艺原理第三章扩散工艺三、杂质扩散§1.扩散原理1.恒定表面源扩散扩散过程中,硅片表面杂质浓度始§2.典型工艺终不变这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。其扩散后杂质浓度分布§3.扩散方法为余误差函数
扩散原理
杂质扩散
扩散方程
整流二极管
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时间:2020.01.07
上传者:2iot
整流二极管……
整流二极管
电气参数
1n
遥控钥匙门禁系统的路径损耗估算方法
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大小:320.22KB
时间:2020.03.16
上传者:rdg1993
遥控钥匙门禁系统的路径损耗估算方法……
eda
辅助设计
电力电子器件
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时间:2020.03.11
上传者:二不过三
电力电子器件的最新发展|电力电子器件的最新发展||浙江大学电机系钱照明,陈辉明,吕征宇||||作者简介:||||钱照明:浙江大学电气工程学院教授,博士生导师。主要从事现代电力||电子器件及其相关应用技
电力电子
功率晶闸管
IGBT
小功率直流固体继电器的制作与电路设计
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时间:2020.03.16
上传者:quw431979_163.com
小功率直流固体继电器的制作与电路设计……
eda
辅助设计
封装-含图
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时间:2020.03.11
上传者:wsu_w_hotmail.com
封装-含图PACKAGEOUTLINESPackageSurface-mountPageSC59(SOT346)yes....SC70-3(SOT323)yes....SO20(SOT163-1)ye
philips
semiconductors
Diodes
深入探讨电容的种类和作用
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时间:2020.03.11
上传者:quw431979_163.com
深入探讨电容的种类和作用……
电容
总类
特点
电路板故障检测仪快速安装指南
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时间:2020.03.11
上传者:2iot
电路板故障检测仪快速安装指南.详细资料http://www.5i17.com.cn/catalogList3.htmGT4040P快速指南http://www.5i17.com.cn---------
icft
软件
硬件
FCI AirMax VS 和 ZipLine连接器实现40Gb/s数据无误差传输
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时间:2020.03.11
上传者:978461154_qq
FCI亚太区通信市场高级业务拓展经理FrancisLo先生于2009年3月17日第四届国际连接器技术与产业发展论坛上做的“FCIAirMaxVS和ZipLine连接器实现40Gb/s数据无误差传输”演
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