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CS8679E扩频功能低空载电流，双声道2X23W或33W（PBTL）D类音频放大器

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时间：2022.03.09

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CS8679E扩频功能低空载电流，双声道2X23W或33W（PBTL）D类音频放大器

CS8679E
LDO与DC-DC对比

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时间：2022.03.08

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简单介绍LDO、DC-DC的基本原理，以及两者的对比。

LDO dcdc
elasticsearch实战_[美] 拉杜·乔戈（radu gheorghe

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时间：2022.03.08

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Elasticsearch 实战拉杜乔戈 Radu gheorghe
双向DC-DC变换电路设计

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时间：2022.02.28

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双向DC-DC变换电路设计

双向 dcdc 变换电路设计
一款LLC谐振半桥式功率转换器

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时间：2022.02.11

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TI）设计一款LLC谐振半桥式功率转换器

一款 llc 谐振半桥式功率转换器
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
碳化硅MOS应用于双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB）

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时间：2022.01.27

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碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

双向 dcdc llc 移相全桥 dab
碳化硅MOS应用车载OBC,动力电池充电模块

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时间：2022.02.16

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 车载 OBC 动力电池充电模块
SIC MOS应用充电机DC-DC总成

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

sic mos 充电机DCDC总成
projects-crazyflie-hardware-crazyflie_control

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时间：2022.01.17

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CS5092S高耐压，5V输入，0.85A充电电流，双节锂电升压充电管理电路

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时间：2022.01.13

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CS5092S高耐压，5V输入，0.85A充电电流，双节锂电升压充电管理电路

CS5092S
CS5517T低功耗600mA输出，DC-DC升降压电压调整器，1.8-5V输入，1.2-5V输出。

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时间：2022.01.07

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CS5517T低功耗600mA输出，DC-DC升降压电压调整器，1.8-5V输入，1.2-5V输出。

CS5517T 升降压
CS9016C替代TI德州仪器的DRV8833双通道H桥电机驱动芯片，东芝TB6612FNC

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时间：2022.01.07

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CS9016C替代TI德州仪器的DRV8833双通道H桥电机驱动芯片，东芝TB6612FNC

CS9016C DRV8833 电机驱动芯片 TB6612FNC
SP2699P高性能原边控制芯片AC-DC电源开关做24W，12V2A或24V1A。

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时间：2021.12.24

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SP2699P高性能原边控制芯片AC-DC电源开关做24W，12V2A或24V1A。

SP2699P 24W 12v2a 24V1A
SP2739AP原边控制恒流恒压，AC/DC控制电路做12V2A，DIP8封装

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时间：2021.12.23

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SP2739AP原边控制恒流恒压，AC/DC控制电路做12V2A，DIP8封装

SP2739AP 12v2a

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