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苏州永创智能科技详解“CMTI测试电源”共模瞬态抗扰度测试方案及标准
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时间:2025.03.31
上传者:forcreat
“CMTI测试电源”共模瞬态抗扰度测试方案及标准
晶台光耦KLCNY17-4晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成,它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCurr
晶台
光耦
KLCNY174
晶体管
产品
规格书
晶台光耦KLCNY17-3晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成,它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCurr
晶台
光耦
KLCNY173
晶体管
产品
规格书
晶台光耦KLCNY17-2晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成,它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCurr
晶台
光耦
KLCNY172
晶体管
产品
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晶台光耦KLCNY17F-1晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17F-1系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCur
晶台
光耦
KLCNY17F1
晶体管
光耦
产品
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晶台光耦KLCNY17F-2晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17F-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCur
晶台
光耦
KLCNY17F2
晶体管
光耦
产品
规格书
晶台光耦KLCNY17F-3晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17F-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCur
晶台
光耦
KLCNY17F3
晶体管
产品
规格书
晶台光耦KLCNY17F-4晶体管光耦产品规格书
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时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KLCNY17F-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•选取窄范围的CTRCur
晶台
光耦
KLCNY17F4
晶体管
产品
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晶台光耦KL814晶体管光耦(AC)产品规格书
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大小:1.08MB
时间:2024.09.03
上传者:晶台光耦
KL814系列器件由两个反向并联的红外发射二极管与一个光电晶体管组成,构成光电耦合器。它们采用4引脚DIP封装,有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Produ
c
tfeatures•交流输入响应ACi
晶台
光耦
814
晶体管光耦
ac
产品
规格书
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD3.0)以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
XPD319
规格书
usb
TypeC
pd
多协议控制器
SCH_S
c
hemati
c
1【拆解老五家的垃圾电源(riesba)进行分析】
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时间:2023.10.13
上传者:面包板社区管理员
SCH_S
c
hemati
c
1【拆解老五家的垃圾电源(riesba)进行分析】原题地址:https://mbb.eet-
c
hina.
c
om/forum/topi
c
/134305_1_1.ht
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21参考电路
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大小:286.7KB
时间:2023.07.13
上传者:永嘉微电罗丹
★ 工作电压2.4-5.5V★ 内置32kHzRC振荡器★ 偏置电压(BIAS)可配置为1/3、1/4★ COM周期(DUTY)可配置为1/4、1/8★&nbs
抗干扰
抗噪
lcd
液晶
段码
驱动
ICVK2C21
参考
电路
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充
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时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
sic
碳化硅
mos
pd
快充
SIC MOS光伏储能
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时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
SIC MOS光伏储能
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大小:1.1MB
时间:2022.01.21
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
碳化硅MOS应用于双向DCDC(LLC,移相全桥,DAB)
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大小:1.16MB
时间:2022.01.27
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
双向
dcdc
llc
移相全桥
dab
碳化硅MOS应用车载OBC,动力电池充电模块
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时间:2022.02.16
上传者:Eways-SIC
SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
碳化硅
mos
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