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TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet
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大小:1.08MB
时间:2024.07.18
上传者:东芝铠侠代理
B67S179FTG提供多种步进分辨率设置,包括:全步、半步(a和b)、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间,确保
TOSHIBA东芝TB67H452FTG电机驱动IC产品规格书datasheet
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大小:673.49KB
时间:2024.07.16
上传者:东芝铠侠代理
多功能电机控制:TB67H452FTG可以驱动两个步进电机、两个直流有刷电机或通过组合4通道H桥驱动一个步进电机。它还支持双直流有刷电机或在大模式下高电流驱动的步进电机。广泛的电源电压范围:它可以在6
toshiba
东芝
TB67H452FTG
电机驱动
ic
产品
规格书
datasheet
基于CPLD和单片机实现的无线报警系统
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大小:80.78KB
时间:2019.05.27
上传者:牛渔曦
论文-基于CPLD和单片机实现的无线报警系统
TOSHIBA东芝TB67S109AFTG电机驱动IC中文产品规格书datasheet
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大小:2.68MB
时间:2024.07.01
上传者:东芝铠侠代理
主要特性和优势高性能PWM控制TB67S109AFTG采用PWM斩波控制,允许精确和高效的电机电流调节。此功能确保电机运行平稳稳定,这对于需要精细电机控制的应用(如3D打印机、数控机床和机器人)至关重
TOSHIBA东芝TB67S109AFTG电机驱动IC产品规格书datasheet
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大小:587.55KB
时间:2024.07.01
上传者:东芝铠侠代理
主要特性和优势高性能PWM控制TB67S109AFTG采用PWM斩波控制,允许精确和高效的电机电流调节。此功能确保电机运行平稳稳定,这对于需要精细电机控制的应用(如3D打印机、数控机床和机器人)至关重
toshiba
东芝
TB67S109AFTG
电机驱动
ic
产品
规格书
datasheet
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet
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大小:5.18MB
时间:2024.06.17
上传者:东芝铠侠代理
TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性:BiCD工艺集成:在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺,提升性能。多功能电机控制:能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。
东芝
TB5128FTG
步进电机驱动
ic
产品
规格书
datasheet
基于CPLD扩展单片机接口的多路数据采集系统
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大小:141.34KB
时间:2019.05.27
上传者:牛渔曦
论文-基于CPLD扩展单片机接口的多路数据采集系统
LCC262高清SDI(串行数字接口)采集卡编码卡
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大小:311.94KB
时间:2024.04.15
上传者:lingka
LCC262是灵卡技术研发的⼀款串行数字接口SDI采集与H.264编码⼀体化的采集卡。其输入接口采用BNC接头,最高支持3G-SDI标准格式输入,输出接口采用USB2.0,可同时输出两路视频流和一路音
LCC262
高清
sdi
串行数字接口
采集卡
编码
LCC261高清模拟视频采集编码卡
所需E币:0
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大小:325.98KB
时间:2024.04.15
上传者:lingka
LCC261是灵卡技术研发的⼀款高清模拟视频采集与H.264编码⼀体化的采集卡。输入接口采用BNC接头,支持AHD/TVI/CVI/ CVBS多种格式标准,最高支持1920x1080p@60
LCC261
高清
模拟
视频采集
编码
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:645.84KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:APM4953KC-TRL-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-2个P沟道-最大耐压:-30V-最大电流:-7A-开通态电阻:35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V
APM4953KCTRLVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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大小:265.79KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SI1308EDL-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:20V-额定电流:4A-开态电阻:45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围:
SI1308EDLVB
沟道
SC703
封装
mos
datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:252.68KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SM4307PSKC-TRG-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi详细参数说明:-P沟道-工作电压:-30V-工作电流:-11A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs
SM4307PSKCTRGVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:272.14KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:SSC8035GS6-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi详细参数说明:-P沟道-最大耐压:-30V-最大漏极电流:-5.6A-漏极-源极电阻:47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极
SSC8035GS6VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:247.19KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号,其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管,主要参数如下:-额定电压:-30V-额定电流:-8.5A-RDS(ON
APM4927KCTRLVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:299.29KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:ZXMC4559DN8TA-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N+P沟道MOSFET-工作电压:±60V-电流:6.5/-5A-开态电阻:RDS(ON)为28/51
ZXMC4559DN8TAVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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大小:354.44KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±
AO7414VB
沟道
SC703
封装
mos
datasheet
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:387.65KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:型号:AM4599C-T1-PF-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-最大工作电压:±60V-最大工作电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-RDS(
AM4599CT1PFVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
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