消费电子-原理图资料下载_第28页-面包板社区

电子密码锁1602液晶显示资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

随着社会物质财富的日益增长和人们生活水平的提高，安全成为现代居民最关心的问题之一。而锁自古以来就是把守门的铁将军，人们对它要求甚高，即要求可靠地防盗，又要使用方便，这也是制锁者长期以来研制的主题。传统
【IRF530NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS

IRF530NPBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【SQD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SQD50P06-15L-GE3丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.

SQD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【KD3422A-VB】N沟道SOT23-3L封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：KD3422A-VB丝印：VBB1630品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：5.5A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,36mΩ@4.

KD3422AVB 沟道 SOT233L 封装 mos datasheet
调幅发射机电路的设计

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时间：2019.05.28

上传者：feiniao2008

简易调幅发射机，由调幅信号源和高频高效功率放大器组成。调幅信号源由LC振荡电路产生正弦波;锁相环芯片MC145152和双模分频器MC12017组成锁相环，将载波频率精确的锁定在15MHz,输出载波的稳
【STP80NF55-08-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:STP80NF55-08-VB丝印:VBM1606品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:120A-静态导通电阻(RDS(ON)):5mΩ@10V-静态导通电阻(

STP80NF5508VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【TJ30S06M3L-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：TJ30S06M3L丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-50A-RDS(ON)：20mΩ@10V，25mΩ@4.5V-门源电压范围：2

TJ30S06M3LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO3422-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:AO3422-VB丝印:VB1695品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):85mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON))

AO3422VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRLU024NPBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:IRLU024NPBF丝印:VBFB1630品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):25A -开通电阻(RDS

IRLU024NPBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
【FDS4953-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDS4953-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道（2个）-额定电压：-30V-最大连续电流：-7A-静态开启电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48

FDS4953NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7303TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7303TRPBF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：双N沟道MOSFET-额定工作电压：30V-额定漏极电流：6.8A（2个N沟道并联）-开启电阻RDS(O

IRF7303TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRFR9120NTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了其最新的MOS管产品，型号为IRFR9120NTRPBF，丝印型号为VBE2102M。这款MOS管属于P沟道类型，具有出色的性能特点。它支持最大-100V的耐压，能够承受高达-10A

IRFR9120NTRPBF VBsemi mosfet datasheet
CS5216电路|CS5216 demoboard参考电路|CS5216 电路设计方案

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时间：2021.05.21

上传者：QQ1659747718

CS5216是一款单端口HDMI/DVI电平转换器/中继器，具有重新定时功能。它支持交流和直流耦合TMDS信号高达3.0-Gbps的操作与可编程均衡和抖动清洗。它包括2路双模DP电缆适配器

CS5216 CS5216电路 CS5216demoboard CS5216设计方案
【CEM4953-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：CEM4953-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@10V,48mΩ@

CEM4953VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CS5211替代CH7511B设计开发EDP转LVDS接口转接芯片原理图

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时间：2021.06.18

上传者：qq2755130042

CS5211用于设计DP转LVDS转换器,DP转LVDS控制板,DP转LVDS转接板等产品设计,其性能和参数可以替代与兼容PS8622,PS8625,CH7511等方案芯片。

CS5211 替代CH7511B eDP转LVDS LVDS接口转接 CS5211原理图
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet

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