消费电子-原理图资料下载_第27页-面包板社区

【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
开关电源PCB的设计

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时间：2019.06.14

上传者：feiniao2008

设计高频开关稳压电源供应器时，线路布局是相当重要的一环。好的线路布局可以解决许多电源供应器的问题；设计不够周到的线路布局会产生各式各样的问题。这种问题尤其容易在高电流操作的环境下产生，而当输入/输出电
【FDD6637-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDD6637丝印:VBE2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-60A -开通电阻(RDS(ON

FDD6637VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STB60N06-14-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB60N06-14-VB丝印：VBL1615品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：75A-开通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@10Vgs、12mΩ@4

STB60N0614VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
单片机自动控制交通灯及时间显示资料.

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

交通的发达，标志着城市的发达，相对交通的管理则显得越来越重要。对于复杂的城市交通系统，为了确保安全，保证正常的交通秩序，十字路口的信号控制必需按照一定的规律变化，以便于车辆行人能顺利地通过十字路口。考
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【IRFR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号IRFR024NTRPBF-VB是VBsemi品牌生产的功率MOSFET器件。其主要参数如下：-极性：N沟道-工作电压：60V-额定电流：18A-开通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-

IRFR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V

IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8

NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDT434P-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-40V-工作电流：-6A-开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）-门楼电压：±20V-

FDT434PNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NDT456P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT456P-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V,49mΩ

NDT456PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
H5TQ4G4(8_6)3AFR(Rev1.0).pdf

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时间：2021.03.26

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全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

H5TQ4G4863AFRRev10pdf
FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD

FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
【SQD40P10-40L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SQD40P10-40L-GE3-VB丝印：VBE2104N品牌：VBsemi参数：P沟道，-100V，-40A，RDS(ON)，33mΩ@10V，36mΩ@4.5V，20Vgs(±V)；-1.

SQD40P1040LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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