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【P3004ND5G-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：P3004ND5G-VB丝印：VBE5415品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大耐压：±40V-最大持续电流：50A(N沟道)/-50A(P沟道)-开通电阻（RDS(ON)）：1

P3004ND5GVB NP 沟道 TO2525 封装 mos datasheet
【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

P9006EDG(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：P9006E

P9006EDG VBsemi TO252 mos datasheet
【PHD78NQ03LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PHD78NQ03LT-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：60A-开通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10Vgs、11mΩ@4

PHD78NQ03LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【PHP225-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PHP225-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-7A-静态导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@1

PHP225VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【PMN50XP-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：PMN50XP-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-4.8A-开启电阻：RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

PMN50XPVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【PSMN025-100D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：PSMN025-100D 丝印：VBE1102N 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：45A-导通电

PSMN025100DVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【PV600BA-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PV600BA-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：12A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5

PV600BAVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RFD15P05-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：RFD15P05-VB丝印：VBFB2610N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-60V-额定电流（Id）：-25A-静态导通电阻（RDS(ON)）：66m

RFD15P05VB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

RJP020N06T100(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：RJP0

RJP020N06T100 VBsemi SOT893 mos datasheet
【RQJ0303PGDQATL-E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：RQJ0303PGDQATL-E-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47m

RQJ0303PGDQATLEVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【RRQ030P03TR-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：RRQ030P03TR丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：

RRQ030P03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【RRR040P03TL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：RRR040P03TL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-30V-最大持续电流：-5.6A-开通电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10Vgs、56mΩ

RRR040P03TLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【RSD050N10TL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：RSD050N10TL丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：18A-导通电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-

RSD050N10TLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【RSQ045N03TR-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：RSQ045N03TR-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

RSQ045N03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【RSS075P03TB-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS075P03TB-VB丝印:VBA2317品牌：VBsemi参数说明:-管道类型:P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-管道电阻(RDS(ON))：23mΩ@10V,29mΩ@4.

RSS075P03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

RU205B(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：RU2

RU205B VBsemi sot23 mos datasheet