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【NTGS3455T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源

NTGS3455T1G VBsemi sot236 mos datasheet
【NTGS4141NT1G-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTGS4141NT1G-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

NTGS4141NT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1

NTJD4001NT1GVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是

NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
【NTMD4840NR2G-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTMD4840NR2G-VB丝印：VBA3316品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道场效应管(N-channelMOSFET)-额定电压：30V-额定电流：8.5A-漏极电阻：RDS(ON)

NTMD4840NR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTMS4177PR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NTMS4177PR2G-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

NTMS4177PR2GVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTP6413ANG-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:NTP6413ANG-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(

NTP6413ANGVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NTR0202PLT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：NTR0202PLT1G丝印：VB2290品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源

NTR0202PLT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTR2101PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NTR2101PT1G-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，

NTR2101PT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTR4171PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：NTR4171PT1G 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-30V -额定电流：-5.6A

NTR4171PT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【NTR4501NT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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名称：NTR4501NT1G 型号：VB1240 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-RDS(ON)：24mΩ@4.5V，33

NTR4501NT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【NTR4502PT1G-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTR4502PT1G(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：NT

NTR4502PT1G VBsemi sot23 mos datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【NTS4101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：NTS4101PT1G丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压

NTS4101PT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【P0603BVG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：P0603BVG丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：12A-RDS(ON)：12mΩ@10V，15mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

P0603BVGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【P06B03LVG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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P06B03LVG详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V)-

P06B03LVGVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【P2402CAG-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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P2402CAG(VB7322)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6A；导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.2V；封装：SO

P2402CAG VBsemi sot236 mos datasheet