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【NDP6020P-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NDP6020P-VB丝印：VBM2309品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：8mΩ@10V，11m

NDP6020PVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NDS331N-NL(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：NDS331N

NDS331NNL VBsemi sot23 mos datasheet
【NDS351AN-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDS351AN-NL-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：6.5A-开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10Vgs、33mΩ@4

NDS351ANNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NDS352AP-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDS352AP-NL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-30V-最大持续电流：-5.6A-开通电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10Vgs、56mΩ

NDS352APNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NDS9948-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NDS9948-NL-VB-丝印：VBA4658-品牌：VBsemi-沟道类型：P沟道-工作电压：-60V-最大漏极电流：-5.3A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@

NDS9948NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NDT3055L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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NDT3055L详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.53Vth(V)-封装类型：

NDT3055L VBsemi SOT223 mos datasheet
【NDT451AN-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：NDT451AN丝印：VBJ1322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：7A-导通电阻：25mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源电压：20V

NDT451AN VBsemi SOT223 mos datasheet
【NDT452AP-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT452AP-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-6A-开态电阻(RDS(ON))：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V,20Vg

NDT452APNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NDT456P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT456P-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V,49mΩ

NDT456PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8

NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NIF5002NT1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:NIF5002NT1G丝印:VBJ1695品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):4A -开通电阻(RDS(O

NIF5002NT1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NIF5002NT3G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NIF5002NT3G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：4A-静态开启电阻(RDS(ON))：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门

NIF5002NT3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2

NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet
【NTD12N10-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD12N10-1G-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：15A-静态导通电阻（RDS(ON)）：1

NTD12N101GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【NTD20N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：NTD20N06LT4G-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-硅极电压：20V

NTD20N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD20P06LT4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：NTD20P06LT4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范

NTD20P06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A

NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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