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【RU20P4C-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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RU20P4C(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：RU20P4

RU20P4C VBsemi sot23 mos datasheet
【SFT1342-TL-E-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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SFT1342-TL-E详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V

SFT1342TLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SFT1443-H-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号：SFT1443-H-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20V

SFT1443HVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI1304BDL-T1-GE3-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,

SI1304BDLT1GE3VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V

Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
【Si1922EDH-T1-GE3-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：2A-静态导通电阻（RDS(ON

Si1922EDHT1GE3VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号:SI2301ADS-T1-GE3-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-4A-静态导通电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5

SI2301ADST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301BDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压

SI2301BDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5

SI2301CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：

SI2301DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302ADS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2302ADS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8

SI2302ADST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

SI2302DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：SI2302DS-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5

SI2302DSVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet