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【SI2305ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。

SI2305ADST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

SI2305CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2307DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:SI2307DS-T1-GE3丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-5.6A -开通电

SI2307DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2308DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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名称：SI2308DS-T1-GE3 型号：VB1695 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-RDS(ON)：85mΩ@10V

SI2308DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2309CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2309CDS-T1-GE3(VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。应用简介：S

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【SI2309DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI2309DS-T1-GE3-VB丝印：VB2658品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.2A-开通电阻：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V

SI2309DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2314DS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SI2314DS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**

SI2314DST1E3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2318CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2318CDS-T1-GE3(VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

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【SI2318DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SI2318DS-T1-GE3 丝印：VB1330 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.5A&nb

SI2318DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2319CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2319CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2319CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2319DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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SI2319DS-T1-GE3详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth

SI2319DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2323DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2323DS-T1-GE3丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5

SI2323DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2324DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：SI2324DS-T1-GE3丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5

SI2324DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2338DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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型号：Si2338DS-T1-GE3丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.5A-RDS(ON)：30mΩ@10V，33mΩ@4.5V-门源电压范

Si2338DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

Si2342DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2343CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：Si2343CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47m

Si2343CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet