AO4805是双沟通P极性MOS管，AO4805主要特征：

Vds：-30V

Id(at VGS=-20V) : -9A

Rds(ON) (at VGS=-20V) : < 15mΩ

Rds(ON) (at VGS =-10V) : < 18mΩ

AO4805基本描述：

A04805结合了先进的沟道MOSFET技术和低电阻封装，以提供极低的Rds(on)。这种装置是负载开关和电池保护应用的理想选择。

AO4805核心参数：

漏源电压（Vdss）：30V

25°C 时电流-连续漏极：(Id)9A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19mΩ@8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39nC @ 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600pF @ 15V

工作温度：-55°C ~ +150°C（TJ）

功率-最大值：2W

封装：8-SOIC

FET 类型：P-Channel

安装类型：表面贴装型