IRF1404是N极性MOS管，IRF1404基本描述：

-先进的工艺技术

-超低导通电阻

-动态的dv / dt评级

-操作温度175°C

-快速切换

-完全Avalanche额定

IRF1404主要特征：

第七代HEXFET®功率MOSFETs从整流器采用国际先进加工工艺

技术，以实现极低的通阻每硅区域。这个好处，加上快开关速度快，设备设计坚固耐用

六场效应晶体管功率MOSFET是众所周知的，提供该设计具有极高的效率和可靠性

用于广泛应用的装置，包括汽车。

IRF1404核心参数：

Vds-漏源极击穿电压：40 V

Id-连续漏极电流：162 A

Rds On-漏源导通电阻：4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V

Qg-栅极电荷：160 nC

Pd-功率耗散:333 W

晶体管极性：N-Channel

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量：1 Channel

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

高度：15.65 mm

长度：10 mm

晶体管类型：1 N-Channel

宽度：4.4 mm

下降时间：33 ns

上升时间：190 ns

典型关闭延迟时间：46 ns

典型接通延迟时间：17 ns

单位重量: 6 g

代替型号：

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