MOS管寄生电容介绍：
我们知道MOS管一般作为DCDC电路的开关管，在几M的频率下不停的做开关MOS管的动作，MOS管内部的一些寄生参数很可能能影响我们开关的动作，以至于影响我们一些电源的启动时间，信号沿的过冲等等。因此我们来简单介绍下MOS 管的寄生电容：
- MOSFET 结构以及影响驱动的相关参数
上图是 MOSFET 的电容等效图。 MOSFET 包含 3 个等效结电容 Cgd, Cgs 和 Cds.通常在 MOSFET 的规格书中我们可以看到以下参数：
位于栅极和源极之间，主要由栅极与沟道之间的氧化层电容和栅极与源极的重叠电容组成。它是MOS管中最大的电容，影响开关速度。
2. Cgd（栅漏电容）
位于栅极和漏极之间，由栅极与沟道之间的氧化层电容和栅极与漏极的重叠电容构成。由于米勒效应，Cgd在高频和开关过程中影响显著。Cgd（栅漏电容）我们又称为米勒电容。对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他影响着关断延时时间。因此我们人为并联栅漏电容来用作电源缓启电路
3.Cds（漏源电容）
位于漏极和源极之间，主要由漏极和源极之间的PN结电容及寄生电容组成。其值较小，但在高频电路中仍不可忽视。
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