快速完成故障定位
芯片失效分析的过程主要包括确认故障现象、暴露缺陷位置、观察缺陷位置形貌、推断失效根因以及根因验证这几个步骤。 那么,怎样才能快速定位故障的根因呢?这就要求同学们提前做好“预习功课”。具体来说,首先要针对一个样品进行有针对性的故障激发操作,像静电、浪涌、辐射等都可以作为故障激发的手段。当通过故障激发使样品出现失效情况后,再对这个失效的样品开展“失效分析”工作。最后,把故障激发过程中所产生的现象以及出现的缺陷形貌进行系统的整理,从而构建起一个失效现象和形貌 - 失效模式比对库。一旦拥有了这个比对库,在面对实际应用中出现的失效品时,就能够立即根据所观察到的缺陷形貌,有针对性地推断出失效的根因了。今天对一个Buck芯片做一下“预习功课”
样品简介:2A的Buck芯片,SOT23-6封装
对样品Vin-Gnd、SW-GND进行浪涌测试,直至将芯片打坏,样品测试相关pin对地短路。对样品进行“失效分析”,观察缺陷形貌。NG1:取die后未发现明显异常,去顶层金属后发现Vin管脚ESD电路烧毁
NG2:取die后未发现明显异常,去顶层金属后发现靠近SW金属走线熔融总结:芯片失效分析是一门综合型的学科,快速定位根因的关键在于提前的“预习功课”。这不仅有助于在实际的芯片失效分析工作中迅速推断出根因,而且对于整个芯片生产、应用和质量控制等环节都有着重要意义。它可以减少故障排查的时间成本,提高芯片的可靠性和稳定性,从而保障相关电子产品的性能和质量,在芯片技术不断发展以及其应用日益广泛的今天,这种科学有效的失效分析方法将发挥越来越重要的作用。
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