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EDA/ IP/ 设计与制造

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小英说半导体 2023-10-26 16:03: 厚金属显微结构的提升技术; 引言本文涉及一种能够在金属基底上制备厚金属微结构的方法。这种金属微结构可以用作分辨样品来表征各种微分析技术，例如X射线荧光(XRF)或X射线光电 ...; 740 6 0 6

电子知识打边炉 2023-10-25 19:40: 原创元器件第003篇封装封装的分类; 电子元器件的封装（ Package ）是指内部核心之外的包封部分。封装主要实现 3 个功能： 1. ...; 811 9 0 9

小英说半导体 2023-10-25 13:50: 通过使用过硫酸铵溶液轻松预处理铜催化剂基底; 引言石墨烯是sp2杂化碳原子的二维蜂窝晶格，自首次成功分离和表征单层石墨烯以来就引起了广泛关注。载流子迁移率、稳健的机械公差和高光学透明度为 ...; 803 7 0 7

电子知识打边炉 2023-10-24 22:56: 原创元器件第002篇元件器件元器件分类; 上一篇介绍了标准化组织，这一篇说分类。当我想深入了解一个事物，我总是把分类、术语和标准作为攀登学习曲线的法宝。元件和器件总是说元器件 ...; 1127 6 0 6

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CINNOResearch 2023-10-24 11:18: 彩色电子纸双屏笔记本——联想创新故事; ThinkBook Plus Twist 作为联想 ...; 944 8 0 8

彩色电子纸双屏笔记本电子纸

小英说半导体 2023-10-24 09:46: 栅栏状蚀刻铜箔上的掺氟碳量子点界面层; 引言由于其卓越的能量密度和长寿命，锂离子电池(LIBs)广泛用于电动设备，如军用无人机、电动车辆和动力辅助服，这些设备需要高重量或体积能量密度 ...; 576 5 0 5

电子知识打边炉 2023-10-24 00:07: 原创元器件第001篇 ECIA, JEDEC, JEITA, EDS; 读万卷书，行万里路。如果说原理图符号是介绍元器件的“书”，那么封装就是实际接触元器件的必由之“路”。芯片业正在冲击2nm，封装技术也 ...; 1619 6 0 6

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小英说半导体 2023-10-23 09:52: 六氟化硫等离子体的热反应离子蚀刻; 引言众所周知，微机电系统(MEMS)严重依赖于集成电路制造中使用的材料，例如单晶硅。然而，由于金属、玻璃和压电陶瓷的特殊性质，这些材料在MEMS中 ...; 768 4 0 4

华秋电子 2023-10-20 10:40: 原创把您的 PCB 艺术品带来 KiCon 吧：SAO Hat 作品招募中; “ 每位工程师都是艺术家；每次会议都应该有属于自己的徽章。让您的作品在 KiCon Asia 闪亮！ ” 图片引用自 HACKADAY ...; 886 8 0 8

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镭拓运营 2023-10-17 13:33: 镭拓激光盘点这些激光自动化焊接设备你了解多少; 编辑：镭拓激光近几年随着激光技术的快速发展与进步，激光自动化焊接设备也得以在各行业中大量应用。激光自动化焊接设备与传统的焊接设备相比，无论是在焊 ...; 1016 8 0 8

小英说半导体 2023-10-17 13:08: 氢微波等离子体中氧氮化钛薄膜的稳定性及蚀刻; 引言氮化钛(TiN)具有许多优异的机械和物理性能，如高熔点、高硬度和化学稳定性、良好的导电性和导热性、高耐腐蚀性和抗氧化性。因此，TiN已被广 ...; 863 5 0 5

小英说半导体 2023-10-16 14:34: 单片微波集成电路中砷化镓的干蚀刻; 引言目前高功率砷化镓基单片微波集成电路(MMICs) 已广泛应用于军事、无线和空间通信系统。使用连接晶片正面和背面的衬底通孔，这些MMICs的性 ...; 808 8 0 8

Copper_Hou 2023-10-16 08:53: 半导体wafer Fab工厂中需要静电防护的重要工具-photomask（光掩模）; 半导体前端制造wafer fab中必须要做静电防护的一个重要光刻工具-photomask（reticles），否则静电导致的photomask的CD（Critical Dimension，）不良（对65nm制 ...; 2389 13 0 13

photomask fab ESD EFM reticles

小英说半导体 2023-10-12 14:56: 在氮化镓和AlGaN上的湿式数字蚀刻; 引言由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH 3 处理的取向相关蚀 ...; 498 7 0 7

小英说半导体 2023-10-10 16:57: 关于铝镓氮（AlGaN）上p-GaN的高选择性、低损伤蚀刻; 引言 GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高频和低导通电阻的特性，近来在功率开关应用中引起了广泛关注。二维电子气（2DEG）是由AlGaN/GaN异质 ...; 1038 12 0 12

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