EDA/ IP/ 设计与制造
首页 EDA/ IP/ 设计与制造
小英说半导体 2023-7-6 10:28
砷化镓微纳米器件的制造工艺条件
引言 与硅基器件相比, III-V半导体具有更高的电子迁移率和峰值速度,因此更适合光电子学以外的高性能应用。目前III-V材料的不同工艺技术仍然具有 ...
techff 2023-7-5 09:58
三分钟了解NAND Flash
NAND Flash是非挥发性存储器, 这意味着在关闭电源时仍会保留数据, 因此它适合需要数据存储的所有电子产品。 NAND Flash既小又轻,又具有抗机械冲击 ,存储 ...
techff 2023-7-5 09:53
晶圆背面研磨的详细工艺流程
经过前端工艺处理并通过晶圆测试的晶圆将从背面研磨(Back Grinding)开始后端处理。背面研磨是将晶圆背面磨薄的工序,其目的不仅是为了减少晶圆厚度,还在于 ...
锦正茂科技 2023-7-1 13:26
原创 不同规格的磁场线圈适用领域
磁场线圈基于毕奥-萨法尔定律,以绕组中通电流的形式复现磁场的线圈,用于复现标准磁场,是弱磁场计量测试领域最主要的标准器具之一。按所复现的磁场类型可分为 ...
锦正茂科技 2023-7-1 11:07
电磁铁磁性大小跟哪些因素有关
影响 电磁铁 磁力大小的因素主要有四个,一是缠绕在铁芯上线圈的圈数,二是线圈中电流的强度,三是缠绕的线圈与铁芯的距离,四是铁芯的大小形状。 首先要 ...
飞鱼慕鸟 2023-6-29 16:58
原创 浅谈舵轮开发及难点
一、开发路径 舵轮研发技术路径一般为从上到下模式,先确定直行部分功率段,按市场需求选定外观尺寸,设定功率密度,根据运行工作制、运行工况和预计应用车 ...
锦正茂科技 2023-6-28 16:20
原创 螺线管与电磁铁有什么区别?为什么通电时电磁铁的磁性比螺线管的磁性强?
螺线管与电磁铁有什么区别 ? 为什么通电时电磁铁的磁性比螺线管的磁性强 ? 螺线管与电磁铁都绕有线圈 , 当通电时都会产生磁场 , ...
小英说半导体 2023-6-27 13:47
电感耦合等离子刻蚀
引言 众所周知,化合物半导体中不同的原子 比 对材料的蚀刻特性有很大的影响。 为了对 蚀刻速率和表面形态的精确控制, 通过使用 低至25nm的薄 ...
小英说半导体 2023-6-26 13:55
低腐蚀性蚀刻浴中溶解的铝如何影响酸蚀表面
引言 铝及其合金由于其出色的重量强度比和耐腐蚀性,在过去几十年中得到了广泛应用。然而,由于铝的两性性质,铝不能原样使用,铝表面上的自然氧化膜 ...
锦正茂科技 2023-6-25 11:35
真空热压烧结炉的功能概述
真空热压烧结炉是将真空、气氛、热压成型、高温烧结结合在一起设备,适用于粉末冶金、功能陶瓷等新材料的高温热成型。如应用于透明陶瓷、工业陶 ...
小英说半导体 2023-6-16 14:57
各向同性锗化硅(SiGe)等离子体蚀刻过程中环向硅形成机理
引言 在逻辑电路中, 为了 克服短沟道效应 , 场效应晶体管(FET)从平面 FET 变为FinFET 。 以对于FinFETs的缩放,增加鳍高度以增加沟道宽度。 ...
小英说半导体 2023-6-15 11:22
Si/SiGe多层堆叠的干法蚀刻
引言 近年来,硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此,人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的 ...
小英说半导体 2023-6-14 11:16
硅双通道光纤低温等离子体蚀刻控制与SiGe表面成分调制
引言 在过去的几年中,MOSFET结构从平面结构改变为鳍型结构(FinFETs ),这改善了短沟道效应,并导致更高的驱动电流泄漏。然而,随着栅极长度减小到小于20 ...
小英说半导体 2023-6-13 11:09
锗化硅(SiGe)和硅(Si)之间的各向同性和选择性蚀刻机制
引言 目前,硅的电气和热性能在微电子技术领域中应用广泛。锗化硅(SiGe)合金的使用频率越来越高,在互补金属氧化物半导体技术中,英思特通过使用SON ...
小英说半导体 2023-6-12 16:41
通过X射线光刻在指尖大小的芯片中产生高精度微光学元件的晶圆级制造
引言 在过去的二十年中,市场对大量N灰度级三维微纳米元件的需求一直很活跃。 基于铅笔束的光刻技术 ,我们 可以生产 出 精确的组件,但 目前 ...
EE直播间
更多
关闭 站长推荐上一条 /3 下一条