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IGBT模块的损耗
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类别: 制造与封装
时间:2020-01-05
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资料介绍
   FWD也存在两方面的损耗,因为:  1)在正向导通(即续流)时有正向导通电压:Vf2)在反向恢复的过程中有反向恢复能耗:Erec。  Vf造成导通损耗,Erec造成开关损耗。导通损耗 + 开关损耗= FWD总损耗。   Vcesat,Eon,Eoff,Vf和Erec体现了IGBT/FWD芯片的技术特征。因此IGBT/FWD芯片技术不同,Vcesat,Eon,Eoff,Vf和Erec也不同。……
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