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基于C++语言的跨平台软件开发的设计与实现

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时间：2024.03.05

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本文通过总结实习中的项目，根据实用的代码详细论述C++语言在跨平台开发相关的技术和管理策略，包括代码编写、测试以及部署上的设计和考量。围绕本文的论题，本文将主要论述基于C++语言的多元化软件开发的设计

 跨平台软件开发设计实现
复杂波形条件下剩余电流检测技术研究

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时间：2024.03.05

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剩余电流保护技术广泛地应用于低压电网中，以防止人身触电、电气火灾及由接地故障引起的人身伤害与电气设备损坏事故。随着智能电网的发展和用电设备的

复杂波形条件剩余电流检测技术研究
电站监控系统中通讯协议转换器的研究与开发

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时间：2024.03.05

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随着电力自动化程度的不断提高，对电站监控系统的功能要求也越来越高。为了实现电站监控系统的“无人值班”或“少人值守”，各种监控数据必须能够安全可靠地进行传输，这就使得上位机与现地控制单元之间的接口和软件

电站监控系统通讯协议转换器研究开发
多工业通信协议转换系统的研究

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时间：2024.03.05

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本文中介绍了基于嵌入式的智能协议转换器工作原理、硬件设计及其软件设计。该协议转换器成功了解决了多种不同的控制网络之间的通信问题。

工业通信协议转换系统研究
IPC-7525C-2021 中文版 CN 模板设计指导

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时间：2024.03.05

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IPC-7525C-2021中文版CN模板设计指导

IPC7525C2021 中文版 cn 模板设计指导
汽车电子技术硬件、软件、系统集成和项目管理

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时间：2024.03.05

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汽车电子技术硬件、软件、系统集成和项目管理对于汽车设计是一本很友好的一本书

汽车电子技术硬件软件系统集成项目管理
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFR4510TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：IRFR4510TRPBF-VB丝印：VBE1101N品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：70A-RDS(ON)：9mΩ@10V,20mΩ@4.5V-门源电压（V

IRFR4510TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2314EDS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2314EDS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：20V-最大漏电流：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V

SI2314EDST1E3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【HAT1024R-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：HAT1024R-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-**双P沟道：**该器件包含两个P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

HAT1024RVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7453TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF7453TRPBF-VB丝印：VBA1203M品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：200V-最大电流：3A-RDS(ON)：300mΩ@10V,360mΩ@4.5V-门源电压（

IRF7453TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFR1018ETRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR1018ETRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大漏电流：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,

IRFR1018ETRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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