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【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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STS4DNF60L(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：STS4DNF6

STS4DNF60L VBsemi SOP8 mos datasheet
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【ST2341S23RG-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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ST2341S23RG(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介：ST

ST2341S23RG VBsemi sot23 mos datasheet
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性：2个N沟道；额定电压：60V；最大电流：6A；导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI9945AEYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI4559EY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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SI4559EY-T1-E3(VBA5638)参数说明：N+P沟道，±60V，正向电流6.5A，反向电流5A，导通电阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，正负阈值电压分别

SI4559EYT1E3 NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs

SI4435DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI3442CDV-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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SI3442CDV(VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。应用简介：SI344

SI3442CDV VBsemi sot236 mos datasheet
【Si2399DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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Si2399DS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23应用简介：Si2399DS-

Si2399DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

Si2342DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
【SI2319CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2319CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2319CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2318CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2318CDS-T1-GE3(VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI2318CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2309CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2309CDS-T1-GE3(VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。应用简介：S

SI2309CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2305CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305CDS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

SI2305CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2305ADS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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SI2305ADS-T1-GE3(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。

SI2305ADST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet