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【SI2318CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2318CDS-T1-GE3(VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：

SI2318CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
DigiOcean GS4-120 FCSAN+IPSAN存储系列1.0

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时间：2019.06.28

上传者：东亚安防

DigiOceanGS4-120是一款高端企业级的存储系统，其双控制器冗余设计、专业的企业级磁盘、功能强大的存储管理软件以及模块化结构为用户快速、简便和动态响应不断变化的容量和性能要求提供了前所未有的
CDMA射频系统设计中的交调、寄生响应问题

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

理想容量公式Mmax(Eb/N0)=其中,PG：处理增益，F：再用因子，αr：反向链路话音激活因子。为了提高链路可靠性，目标SNR不再是（Eb/N0)req,而是(Eb/N0)req+MdB，MdB为
基于ST ST25R3916-AQWT的电动车NFC读卡方案-硬件 Schematics.pdf

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时间：2020.08.17

上传者：bwj312

基于STST25R3916-AQWT的电动车NFC读卡方案-硬件Schematics.pdf
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极

SSC8035GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
C8051F系列应用笔记AN012 C8051F0xx 引导装入程序考虑及举例

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

C8051F系列应用笔记AN012C8051F0xx引导装入程序考虑及举例
【SI2301CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5

SI2301CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【CEA3252-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEA3252-VB 丝印：VBI1322 品牌：VBsemi 详细参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-额定

CEA3252VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：参数说明：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57m

APM2317ACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
Altera_EP4CE22F17C8_SF-VIP1原理图

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时间：2021.03.17

上传者：czdian2005

Altera_EP4CE22F17C8_SF-VIP1原理图

AlteraEP4CE22F17C8SFVIP1 原理图
【CMD12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：CMD12N10丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-RDS(ON)：115mΩ@10V，121mΩ@4.5V-门源电压范围：±

CMD12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CES2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-**P沟道：**该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VD

CES2301VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
干货一文读懂4种整流电路、5种滤波电路.docx

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时间：2024.05.16

上传者：张红川

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【APM2301AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-开通电阻：57

APM2301ACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI1304BDL-T1-GE3-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,

SI1304BDLT1GE3VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet

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