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【UT6898G-S08-R-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：UT6898G-S08-R-VB丝印：VBA3211品牌：VBsemi参数：-2个N沟道 -20V -10A -RDS(ON):11mΩ@10V,12mΩ@4.5V

UT6898GS08RVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【WNM2020-3/TR-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

WNM2020-3/TR详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:20V-额定电流:6A-导通电阻:24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压:8Vgs(±V)-阈值电压:0.45~1Vth(V)

WNM20203TRVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【WPM2341A-3/TR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:WPM2341A-3/TR丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-20V -额定电流(ID):-4A -开通电阻(RD

WPM2341A3TRVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【XP132A1275SR-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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XP132A1275SR详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-8A-导通电阻：16mΩ@4.5V,19.2mΩ@2.5V-门源电压：15Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

XP132A1275SRVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【ZVN2120GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:ZVN2120GTA丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V-额定电流(ID):1A-开通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@

ZVN2120GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMN6A07ZTA-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

ZXMN6A07ZTA(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：ZX

ZXMN6A07ZTA VBsemi SOT893 mos datasheet
【ZXMN6A25GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMN6A25GTA-VB丝印：VBJ1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：7A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,27

ZXMN6A25GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【ZXMP10A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ZXMP10A18KTC-VB丝印：VBE2102M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-100V-最大连续电流：-10A-静态开启电阻（RDS(ON)）：188mΩ@10V,

ZXMP10A18KTCVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ZXMP6A13GTA-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A13GTA-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-最大连续电流：-6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70m

ZXMP6A13GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【ZXMP6A18DN8TA-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A18DN8TA丝印：VBA4658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-5.3A-导通电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.

ZXMP6A18DN8TAVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMP6A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A18KTC-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-22A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V,57

ZXMP6A18KTCVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
东芝2SC2712晶体管datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压(VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流(IC)，在处理大电流负载时也

东芝 2SC2712 晶体管 datasheet
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
中触TP 7寸ZCC-2210 工程图 Model (1).pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

中触 tp 7寸 ZCC2210 工程 model 1pdf
功率放大器在Pb污染城市污泥电动性能研究中的应用

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时间：2021.08.30

上传者：aigtek01

功率放大器在Pb污染城市污泥电动性能研究中的应用

功率放大器 pb 污染城市污泥电动性能研究中

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