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Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
Toshiba东芝TCD1304DG线性传感器产品规格书datasheet

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时间：2024.07.16

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高灵敏度和低暗电流TCD1304DG具有高灵敏度和低暗电流，非常适合需要精确和可靠图像捕捉的应用。传感器包含3648个光敏元件，每个元件尺寸为8µmx200µm，确保了出色的光灵敏度和分辨率。电子快门

toshiba 东芝 TCD1304DG 线性传感器产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝光耦TLP152产品规格书datasheet

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时间：2024.07.16

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高噪声免疫力：TLP152具有±20kV/µs的高共模瞬变免疫力（CMTI），确保输入和输出引脚之间的卓越噪声免疫力。这使其非常适合存在大量电噪声的环境。推挽输出：具有推挽输出，能够同时吸收和提供电流

toshiba 东芝光耦 TLP152 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝TB67S128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.05

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关键特性包括：BiCD工艺集成：确保高效率和可靠性。PWM斩波控制：实现精确的电流控制。宽步进分辨率：支持全步、半步、1/4步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步和1/128步操作。高电压和

toshiba 东芝 TB67S128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB6560AFG步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.01

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TB6560AHQ/AFGICs是脉宽调制（PWM）斩波型驱动器，专为双极步进电机的微步控制设计。这些ICs支持多种励磁模式，包括2相、1-2相、2W1-2相和4W1-2相，提供了广泛应用所需的灵活性
TOSHIBA东芝TB6612FNG电机驱动IC中文产品部规格书datasheet

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时间：2024.06.18

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TB6612FNG是一款硅单片集成电路，旨在高效精确地驱动双直流电机。以下是其一些突出的特点：电源和输出规格：电源电压：该IC的最大VM为15V。输出电流：每通道提供1.2A的连续输出电流，峰值电流可
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

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TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
东芝2SC2712晶体管datasheet

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时间：2024.06.17

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高电压和电流处理能力：东芝2SC2712晶体管拥有50V的高集电极-发射极电压(VCEO)，能够轻松应对各种电路中的高电压需求。同时，它还能承载150mA的最大集电极电流(IC)，在处理大电流负载时也

东芝 2SC2712 晶体管 datasheet
Toshiba东芝TB6560AHQ中文版产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

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TB6560AHQ采用先进的驱动电路设计,能够提供高达3.5A的大电流输出,可轻松驱动功率较大的步进电机。同时,它内置了32/16/8/4微步控制功能,在提高电机运行平稳性的同时,还能够实现更高的定位

toshiba 东芝 TB6560AHQ 中文版产品规格书 datasheet
LG磁控管-2M214

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时间：2024.04.08

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LG磁控管-2M214参数资料

LG 70910
【IRF9Z24NSTRLPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9Z24NSTRLPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大电流：-30A-开通态电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V,20Vgs(±

IRF9Z24NSTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFR4510TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：IRFR4510TRPBF-VB丝印：VBE1101N品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：70A-RDS(ON)：9mΩ@10V,20mΩ@4.5V-门源电压（V

IRFR4510TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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