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【UD6004-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：UD6004 丝印：VBE1638 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：

UD6004VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDS9926A-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：FDS9926A-NL-VB丝印：VBA3222品牌：VBsemi参数：-2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：8A-开通态电阻：15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12

FDS9926ANLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STN4NF03L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STN4NF03L-VB丝印：VBJ1322品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：7A-静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs

STN4NF03LVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【IRFU5505PBF-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号IRFU5505PBF-VB的详细参数和应用简介：**型号：**IRFU5505PBF-VB**丝印：**VBFB2610N**品牌：**VBsemi*

IRFU5505PBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【AO8808A-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO8808A-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数说明：-**双N沟道：**该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

AO8808AVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
【STN4828-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STN4828-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：60V-最大电流：6A-RDS(ON)：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范围：

STN4828VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MDD1951RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：MDD1951RH-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-开通态电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压：

MDD1951RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AP4565GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AP4565GM-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AP4565GM-VB**丝印：**VBA5325**品牌：**VBsemi**参数：**-沟

AP4565GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【CES2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-**P沟道：**该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电压（VD

CES2301VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTF3055-100T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：NTF3055-100T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：4A-RDS(ON)：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压（Vg

NTF3055100T1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【SUD50P04-13L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：SUD50P04-13L-GE3-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-开通态电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(

SUD50P0413LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【25P03LG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：25P03LG-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-26A-静态导通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vg

25P03LGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介：**型号：**LR120N-VB**丝印：**VBE1101M**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

LR120NVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI2314DS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI2314DS-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**

SI2314DST1E3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFZ24SPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFZ24SPBF-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范

IRFZ24SPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【NTGS3136PT1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTGS3136PT1G-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏电流：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

NTGS3136PT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AP4953M-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AP4953M-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AP4953M-VB**丝印：**VBA4338**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类

AP4953MVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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