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（32*8）256点LCD驱动芯片VK0256C LQFP52 完全替代1622

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时间：2023.06.19

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品牌：永嘉微电/VINKA封装：LQFP52年服务，技术支持VK0256C是一個32x8的LCD駆動器.可軟體程式控制使其適用於多樣化的LCD應用線路.僅用到3至4條訊號線便可控制LCD駆動器,除此之

328 256点 lcd 驱动芯片 VK0256C LQFP52
MC9S08DZ60中文数据册

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时间：2019.05.23

上传者：book_shine

详细的飞思卡尔的8bit的MCUMC9S08DZ60中文数据册，全面，详细介绍这一款MCU.各个寄存器，中断，计数器，定时器，AD采集，适合有一定基础的MCU开发者参考使用。而且此款MCU工作温度范围

飞思卡尔 mcu MC9S08DZ60 中文数据册
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

上传者：东芝铠侠代理

TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
QCT2462-2012中国电信240V直流电源供电设备技术要求

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

QCT2462-2012中国电信240V直流电源供电设备技术要求
（32*8）256点LCD驱动芯片VK0256 QFP64

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时间：2023.06.19

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品牌：永嘉微电/VINKA封装：QFP64年服务，技术支持8種WDT的基頻選擇可外接32.768KHz石英震盪器內建timebasegenerator以及WDTTimebaseorWDT溢位輸出8種的

328 256点 lcd 驱动芯片 VK0256 QFP64
地铁CCTV视频监控系统方案

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

目录1.前言32.系统方案42.1.方案概述42.1.1.系统设计标准42.1.2.系统功能52.2.主要设备选型72.2.1.前端摄像机72.2.1.1.彩色摄像机（LTC0485）72.2.1.2
QCT2461-2012中国电信240V直流电源供电总体技术要求

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时间：2019.06.18

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QCT2461-2012中国电信240V直流电源供电总体技术要求
TOSHIBA东芝TB67S581FNG步进电机驱动IC datasheet

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时间：2024.07.29

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TB67S581FNG是一款采用PWM斩波模式的恒流两相步进电机驱动IC，采用东芝的BiCD（双极-CMOS-DMOS）工艺制造。该集成电路旨在提供高效率和高可靠性。以下是它的一些突出特点：高电压和电

toshiba 东芝 TB67S581FNG 步进电机驱动 ic datasheet
1.4 ArmcoreEVB[硬件] 底板原理图1107.pdf

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时间：2021.03.26

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全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

14 ArmcoreEVB 硬件底板原理图 1107pdf
Toshiba东芝TB62269FTG两相双极步进电机驱动IC 产品规格书datasheet

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时间：2024.09.19

上传者：东芝铠侠代理

单芯片驱动两相双极步进电机TB62269FTG可通过单芯片实现对两相双极步进电机的驱动，极大简化了电机驱动电路的设计，同时节省了电路板空间。PWM控制的恒流驱动该芯片采用PWM恒流控制方式，能够精确控
微型打印机方案（原理图+PCB+BOM表

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时间：2023.01.09

上传者：张红川

微型打印机方案（原理图+PCB+BOM表

微型打印机方案原理图 PCBBOM
网络摄像机培训-基础篇(大华IPC)

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

摄像机：是一种把景物光像转变为电信号的装置，其结构大致可分为三部分：光学系统：主要指镜头光电转换系统：主要指摄像管或影像传感器件电路系统：主要指视频处理电路
STM32单片机控制BLDC无刷直流电机的电路原理图.pdf

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时间：2021.10.11

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从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

stm32 单片机控制 bldc 无刷直流电机电路原理图 pdf
碳化硅MOS应用于双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB）

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

双向 dcdc llc 移相全桥 dab
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

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SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

上传者：Eways-SIC

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
SIC MOS应用充电机DC-DC总成

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

sic mos 充电机DCDC总成

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